SK海力士建DRAM厂 南科、华亚科警戒

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-12-19 09:13
外电报道,全球第二大存储芯片厂南韩SK海力士将增建DRAM新厂,以因应移动设备发展带来高阶DRAM需求。法人担心,大厂扩大投资之下,产业可能重启资本战,台湾DRAM双雄南科(2408)、华亚科需谨慎应对。
外电指出,海力士规划,明年将投资至少38亿美元在既有厂房、维运与技术升级等方面,並将兴建新厂,最快于2015年初量产。
朝鲜商业报道引述知情人士消息,指SK海力士增设二座新DRAM厂,主要考量洁净室增加有限,现有M10生产线不足以安装最先进的设备。
华亚科及南科高层透露,DRAM厂推进20奈米制程,一定要新增洁净室,才能维持在切入20奈米制程时,仍能保持相当产能,否则总产能会因而下降,因此SK海力士新增洁净室投资,只能说是计划匯入20奈米,以迎合更高阶产品市场需求。
华亚科和南科高层表示,因20奈米制程用洁净室建厂过程需耗时一年多,DRAM产业短期只有制程微缩,产出速率远低于需求增速,对明年DRAM价格仍维持平稳且乐观看法。
DRAM市场目前已形成三星、SK海力士与美光等三大集团瓜分的局面。根据彭博报道,SK海力士第3季DRAM市占率为28.5%,落後于三星的37.1%,後面又有市占26.2%的美光追赶。
业界分析,SK海力士拜DRAM价格回升,财务转佳,第3季单季税後纯益缴出9,582亿韩元佳绩,远远优于去年同期,让SK海力士银弹充裕,明年加大扩大市占的企图。

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