拓墣谈景气:两大利多 DRAM产值看增17%

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-12-09 10:28

拓墣产业研究所表示,明年全球DRAM业具有大厂资本支出不会大举增加、4G LTE兴起推升需求等两大利多,尽管仍将面临PC出货量持续萎缩的威胁,仍看好明年全球DRAM业产值将比今年成长17%,达379.2亿美元(约新台币1.11兆元),连续二年维持成长态势。

拓墣产业研究所半导体分析师陈兰兰表示,DRAM产业目前没有新增加的产能,但因为需求端成长力道走弱,业者制程微缩带来的正面效益有限,因此在下一代新技术还没决定之前,DRAM厂资本支出不会大举增加,是明年产业第一大利多。

其次,明年4G LTE换机潮,将提升移动设备搭载存储器容量。以三星智能型手机为例,4G LTE旗舰机搭载存储器容量达3GB,比3G旗舰机种的2GB增加五成,是产业第二大利多。

整体来看,明年DRAM产业面临最大的威胁,在于全球PC出货量持续萎缩,明年PC DRAM位元数需求成长率接近零成长。

 

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