由于SK海力士无锡厂遭祝融之灾,造成9月DRAM报价出现一波涨势,再加上需求增加带动,2013年第3季南韩存储器产值突破10兆韩元(约90亿美元)大关,可谓重回2010年荣景。但营业利益率表现方面,仍难以回到30%附近,仅从前季22.8%持续上升至23%。在存储器产业景气大起大落的情况下,2013年已算是个好年。
因移动设备、服务器等需求增加,2013年第3季三星电子(Samsung Electronics)DRAM与NAND Flash位元出货量皆较前季增加13~14%,反观SK海力士(SK Hynix)受9月4日遭祝融影响,DRAM出货量季减1.5%,一来一回下,使三星存储器营收成长表现超过SK海力士。
但SK海力士无锡厂火灾也让原本走跌的DRAM价格翻扬,加上三星非存储器事业拖累整体半导体事业获利,使SK海力士本季营业利益率持续以28.5%高于三星半导体事业的21.1%。不过,这也代表SK海力士营运容易受存储器价格变动而大幅波动,三星因事业构面涵盖较广,波动相对不大。
展望第4季,SK海力士在无锡厂遭祝融后,已将部分NAND Flash产能转产DRAM,三星也扩大PC DRAM产量以抢食价涨商机,至于NAND Flash部分,美光(Micron)有挪移部分DRAM产能增产,加上终端对DRAM与NAND Flash需求增幅恐趋缓,因此,若无其他突发性因素,两产品报价将呈下滑走势。
但以单季来看,因10月PC DRAM报价仍高,11月初也延续一周高价期,整体第4季PC DRAM现货价估计将略高于前季,落后补涨的合约价更将是带动第4季PC DRAM价格高于第3季的推手,但NAND Flash价格则将未如DRAM表现,至于出货量季增率,因终端需求将高于前季,第4季将为正数,因此整体而言,第4季南韩存储器产业表现将优于前季。

