华邦电追加资本支出至47亿 制程、产能双升级

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-10-25 09:01
华邦电(2344)总经理詹东义指出,该公司看准未来先进制程存储器的需求成长、加上为满足一线客户的订单需求,已在今日董事会中通过追加资本支出至47亿元议案,预定在明年、最慢后年就会投入推动制程与产能的双双升级。华邦电目前Flash、DRAM在58奈米、46奈米比重已双双超过4成,未来比重可望进一步拉高。
华邦电今年度资本支出规模预估约为24亿元,较去年度的30亿元下滑,不过为了提升在较先进制程的存储器制造能力,华邦电董事会通过针对明年及后年度资本支出达47亿元议案,相关投资最迟将在2015年前完成。
事实上,根据华邦电在今年8月间公告,预定明年与后年度的资本支出规模为25.42亿元、原订规模与今年大致持平,不过今日在董事会当中进一步拉高资本支出至近翻倍水准的47亿元,显示出华邦电对于后续技术提升与产能擘划的正面信心。
华邦电总经理詹东义表示,近年来持续提升Flash和DRAM的制程节点,就Q3状况来看,58奈米产品占Flash营收比重已达46%、46奈米占DRAM营收比重也从Q2的35%提升到42%,显示出华邦电提升高阶制程产品比重的目标正逐步落实,更有利于提升后续产品的价格竞争力。
据了解,目前华邦电每月产能约在3.3万片左右,其中约2万片为利基型DRAM、约1.3-1.4万片则为Flash。随着DRAM制程升级逐步推动,华邦电将在明年进入3x奈米制程节点,而Flash则根据客户需求谨慎推动扩产;由于华邦电中科厂区目前还有至少每月1万片的产能扩充空间,暂无新建厂区必要。
詹东义说明,华邦电在Flash、DRAM领域双双推动制程的升级工作,尤其Flash开始切入1GB规格等较高密度的Core Storage Flash生产,据以满足客户需求,且华邦过去1、2年耕耘客户的成果不错,有不少design-in专案“已经在炉子上炖着,”目前感受到产能供应将呈现吃紧,为了提供利基DRAM、移动DRAM客户充分产能,追加资本支出实属必要。
举例而言,目前华邦电手中仅有的1台浸润式设备(Immersion Tool),用以支援DRAM与Flash产能,惟随着一线客户订单走强,其也正评估采购新的immersion tool,以扩充整体产能。

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