东芝3D NAND计划2015年量产 或另有深意?

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-10-15 10:58
当日本电子厂在液晶面板、系统芯片等领域,被韩国电子厂追上而逐渐丧失竞争力时,日本电子大厂东芝(Toshiba)的NAND Flash,2012年全球市占达31%,紧追韩国电子巨擘三星电子(Samsung Electronics)的37%,双方竞争仍激烈。
虽然三星在2013年8月宣布,实时开始量产次世代的3D NAND Flash,而东芝要到2015会计年度(2015年4月~2016年3月),才进行3D NAND Flash量产,时程上落后约2年,但东芝有自信靠更精密的制程取胜。
东芝半导体事业分社、东芝半导体&储存产品(Toshiba Semiconductor & Storage Products)社长成毛康雄表示,2013~2014年间,1Z的技术成本较低。这句话的意思是,三星采用20nm制程的3D NAND Flash,在2013~2014年之间,生产成本高于东芝采用的16nm制程NAND Flash,东芝产品有价格优势;2015年起,东芝生产的3D NAND Flash,则将采用16纳米制程,技术上超越三星的20nm制程,届时东芝产品又将有技术优势。
而且从2012年11月起,日圆开始贬值,东芝的营业收益好转,半导体部门2013会计年度第1季营业收益454亿日圆(约4.61亿美元),是2012会计年度同季的5倍,赢利率11%,NAND Flash赢利率超过20%。
同时日圆贬值、与东芝生产成本较低双重优势,加强了东芝的赢利率,也加强了东芝在NAND Flash领域,与三星对抗的自信。因此东芝的经营目标,2013会计年度营业收益2,600亿日圆,NAND Flash为中心的电子零件便占5成、达1,300亿日圆;2015会计年度营业收益4,000亿日圆,电子零件1,500亿日圆。
可是在投资者的眼中,NAND Flash的收益,随市场需求变动激烈,目前东芝NAND Flash的高赢利率,只是需求增加所致,投资者还是在乎东芝的电视与计算机事业。因此东芝的股价从2013年4月每股565日圆高点,跌到2013年10月11日收盘的426日圆,跌幅25%。

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