由于PC/NB市场需求疲弱,加上新一代Ultrabook或二合一设备(2-in-1 Devices)不再采用可更换的DRAM模块,转向采用主板内嵌技术,全球内存模块厂龙头金士顿下半年调整委外策略,大减DRAM模块委外代工订单,优先填补自家生产线产能。
业界认为,此举将冲击代工厂品安(8088)接单,但对封测厂力成(6239)有利。
虽然上半年DRAM价格一路大涨,但英特尔6月推出新款Haswell处理器后,7月以来PC/NB需求仍然疲弱,导致标准型DRAM价格在一个半月内崩跌逾3成。虽然近日2Gb DDR3价格急涨,但应用在PC/NB的4Gb DDR3价格不动如山。
业者指出,大陆白牌平板厂在DRAM厂决定减少2Gb DDR3并增产4Gb DDR3之际,大举回补库存,推升2Gb DDR3价格急涨,但这只是短期效应。由于白牌平板厂原本手中库存水位就高,本周扩大采购后,平均库存天数已上升到8周,足以应用十一长假及明年农历年需求,本周过后DRAM价格将回复市场供需决定,价格看来将呈现缓跌走势。
而除了PC/NB需求不振已影响到DRAM模块销售外,英特尔主导搭载Haswell处理器及Bay Trail平台的Ultrabook、二合一设备等产品,也不再采用传统的S0-DIMM或Micro-DIMM模块,而是改用将DRAM芯片直接焊接在主板上的内嵌技术,此一趋势也严重冲击传统DRAM模块的生存空间。
金士顿在今年顺利取得力晶P3厂每月2万片DRAM产能后,原本市场预期将会扩大DRAM模块委外,但第3季DRAM市况低迷,加上DRAM On Board已成市场主流,金士顿已决定大减DRAM模块委外代工订单,优先填补自家模块生产线产能。