美光(Micron)执行长Mark Durcan近日表示,该公司的3D NAND Flash可能2014年第1季就能开始送样,如果该公司政策有变,时程还有可能提早。
Durcan表示3D NAND Flash与平面NAND Flash相比,包括可靠性、耐用度都有改善,储存单位成本也低上许多。不过由于采购相关生产工具以及升级工厂设备得花上不少钱,终端装置业者要研发可使用3D NAND Flash的产品也得花上不少时间,所以要看到供应链转往3D NAND Flash还得等上一段时间。Durcan推测2015年会是比较可能的时间点。
近几年的移动风潮也快速推升对NAND Flash的需求,根据研究机构IHS iSuppli预测,全球NAND Flash市场规模在2016年底可望从2013年的236亿美元增加至308亿美元。只是随著平面NAND Flash在10几纳米制程遭遇瓶颈,继续微缩制程已无法带来应有的效能、成本好处后,NAND Flash业者也不得不另闢蹊径,改从可堆叠储存单位、提高储存密度的3D NAND Flash着手。
美光目前是以16纳米制程制造平面NAND Flash。Durcan表示平面NAND Flash制程微缩在10几纳米中间就遇到了瓶颈,当然要继续微缩至14或15纳米制程不是不行,但这时不是会面临成本提高问题,就是会面临良率不佳情况。如果要持续提高NAND Flash的效能并降低成本,Durcan认为势必要放弃平面NAND Flash作法,改采3D NAND之类的其它技术。
依照摩尔定律(Moore's Law),随著半导体技术持续发展,芯片上晶体管数量每18个月可成长1倍,芯片体积也会随之缩小15~20%,并带来功耗降低、效能提升的好处。不过Durcan指出,DRAM制程到了20~16纳米左右,恐怕要微缩制程得花2年多,16纳米以下可能还得花到两年半以上。从成本考量来看,Durcan认为20纳米以下要微缩并无好处,反会提高成本。
Durcan同时也认为DRAM市场在未来几年将有所变化。一般用于个人计算机(PC)以及行动装置的DRAM,在过去常因为市场供需变化出现价格巨幅波动,这也是造成美光在这过去10年当中屡传亏损的原因。不过随著DRAM业者转进先进制程脚步更为审慎,Durcan认为市场波动将趋缓,DRAM也能开始去商品化。
Durcan表示随著市场波动渐小,存储器业者现在比较不用担心新品得和市场上价格快速滑落的产品竞争,所以就能多花些时间打造更有价值与区别度的产品。