东芝3D NAND样品今年出货

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-08-09 09:30
日本经济新闻网站报导,东芝(Toshiba)于2013年8月7日公布,该厂的3D NAND Flash样品,将于2013会计年度(2013年4月~2014年3月)内出货,且性能大幅超越其它公司的类似产品,量产时间未定,可能于2015会计年度。
东芝社长田中久雄于经营方针说明会中表示,该公司计划量产的3D NAND Flash,同时采用较精密的线路与3D技术,性能将大大超越其它公司的产品。
三星电子(Samsung Electronics)在2013年8月6日时,宣布将领先全球,从8月起进行3D NAND Flash量产,东芝便于7月宣布其3D NAND计对划抗。目前NAND Flash技术发展,三星率先朝向立体堆叠的3D技术发展,东芝则发展比三星20纳米技术更精细的16纳米技术。
3D NAND Flash是将存储单元半导体,由水平放置改为垂直堆叠,以便在同样的水平空间中,塞下更多半导体的技术,被视为左右半导体业界未来竞争力的核心技术。三星将于8月量产的产品,采用20纳米技术,容量128Gb,垂直堆叠24段,写入速度是现有产品2倍,寿命则是10倍,消耗电力不到5成。
2012全年全球NAND Flash市占率,以三星的37%居首,东芝的31%居次,双方进行激烈竞争。相对于三星2013年8月起,在韩国量产3D NAND Flash,2014年在大陆西安加入第二条3D NAND Flash生产线的计画,东芝先前选择16纳米技术,现在将发展16纳米的3D NAND Flash技术。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多