据报导,东芝、SanDisk计划携手投资4千亿日圆在日本三重县四日市兴建NAND Flash新厂,将制程技术自目前的19奈米提升至16-17奈米。报导指出,新厂预计在最快在下个会计年度(2014年4月起)开始量产,届时12吋晶圆月产能将可较目前的45万片提升约20%。
这将是近两年来东芝首度做出增产决定。根据IHS Global的统计,以2012年出货量来计算,三星电子、东芝的NAND Flash全球市占率分别达到37%、31%。拜弱势日圆、苹果以及中国大陆厂商下单量攀升之赐,东芝存储器厂自春季以来即处于产能满载状态。
三星电子7月26日宣布,今年资本支出预估将较2012年高出逾1兆韩圆至创纪录的24兆韩圆、高于原先预期;半导体、显示面板今年预估将分别动用13兆、6.5兆韩圆。资本支出预算调高主要是为了要强化三星在高附加价值DRAM、NAND以及系统LSI产品的竞争优势。

