韩国两大半导体制造厂三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)将加速研发次世代磁性存储器(MRAM)。MRAM和NAND Flash一样,无须持续供应电力就能储存信息,但在反复读写能力上更优异,且能突破传统存储器碰上的10nm制程瓶颈,是克服存储器产品技术界限的唯一方案。
据韩国etoday报导,三星内部人员透露,为加强研发次世代MRAM,2014年起将启动「三星全球MRAM革新」计画。这是三星在半导体领域中,首度推出对全球的计画。
2011年三星购并美国MRAM研发企业Grandis后,再藉由本次的计画,跨足次世代存储器市场。三星9月28日前将接受海内外大学及研究机构的提案,在审核过提案后,12月选出计画合作对象。被选中参与该计画的大学及研究机构等,将能和三星共同研发MRAM。
三星内部人员表示,为加速研发次世代MRAM,将会扩大合作对象。此外,三星的计画对揽入次世代存储器相关优秀人才及确保技术,都有相当大的帮助。
报导称,三星规划发展蓝图,计划在2015年开始量产MRAM。
相对于三星启动大规模合作计画,SK海力士则是选择与日本大厂东芝(Toshiba)共同研发MRAM。在全球存储器芯片市场上,市占率排名第三的东芝,在MRAM的技术和研发能力方面,都具有相当的竞争力。次世代MRAM使用多元的化合物新原料,想要推动商用化,必须同时确保原创技术和可量产的制程技术。
SK海力士近来也积极揽入海内外精通次世代存储器的人才。SK海力士内部人员表示,确切时程未定,但计划在2015年能商用化MRAM。