Mobile DRAM产能增 力成/华东3Q订单无虞

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-07-03 09:19
在智能型手机需求激励下,Mobile DRAM持续呈现供不应求状态,第2季已经带动后段封测厂力成、华东的出货量、产能利用率同步攀升,预计第3季需求仍持续看增;而近期市场盛传尔必达将扩大在Mobile DRAM的产能,也将持续驱动二家封测厂中长期将DRAM的重心转往Mobile DRAM。
受到DRAM前几年市况波动的震撼,力成、华东均已拟定以降低DRAM比重作为长期营运方针。力成预计2013年DRAM比重降至35%,NAND Flash约30~35%,至于其它与逻辑则约占35%。
据了解,近期在力成配合客户将制程转往Mobile DRAM及NAND Flash的动作,加上积极将DRAM测试机台转作NAND Flash产品的努力下,目前标准型DRAM占该公司整体DRAM比重已压低至50%以下,而占整体营收则在20%左右。
随著力成进行营运调整,带动封测产能利用率攀升、产品组合也逐步转佳,外界预估力成第2季毛利率、营益率可以分别回复到15%、10%以上水平。
至于华东也拟定「腾笼换鸟」的策略,预订2013全年目标为标准型DRAM产品线占营收比重要降至40%以下,据悉,由于上半年DRAM平均比重仍在40~50%左右,欲达到前述标准,华东下半年标准型DRAM比重可大幅缩减至10~20%,届时营运将以特殊型(Specialty)DRAM为主。
在特殊型DRAM中,应用于可携式装置的堆叠芯片封装(MCP),和应用于车用、DVD等客制化需求的单颗封装产品以往需求互有消长,不过下半年随著终端产品新机齐发,激励Mobile DRAM需求持续畅旺下,预料MCP产品将成为营运主要动能。
第2季华东特殊型部分封测产能利用率已达75~80%左右,预估第3季将逾9成,也接近供需平衡的临界点,是以对MCP产能扩充的动作势在必行,惟目前投资规划尚未出炉。
随著移动市场需求激增,近期美光及尔必达相继传出将扩大NAND Flash和DRAM的晶圆产出量。继第2季尔必达旗下瑞晶调度一半DRAM产能移作Mobile DRAM之用,在市况方兴未艾下,外传尔必达近期有机会获得日本政府资助,用以增产Mobile DRAM之用。
而美光部分,则拟将新加坡厂的DRAM产能移往NAND Flash,预计最快将在第4季产出。
对此,封测业者认为随著存储器产业的竞争态势趋于健康,前述两项市场消息,均指向存储器中长期供需情况将进入正向循环,后段封测厂自然有利可图。

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