根据韩国时报(Korea Times)报导,SK海力士表示,采用20纳米级技术,成功研发出全球领先的8Gb移动DRAM(LPDDR3•Low Power Double Data Rate 3)。应用于智能型手机与平板计算机等移动设备的8Gb DRAM芯片,号称可提供更佳的性能与省电效果。
SK海力士表示,该款8Gb DDR3(LPDDR3)存储器芯片是采用20纳米制程来制造,具有更快的反应时间,以及提供10%的省电效果。SK海力士并指出该公司是全球第1家开发出这款存储器芯片的业者,目前已经将样本交给采用Google Android操作系统的移动设备业者试用。
移动DRAM是应用于智能手机等便携式电子产品的内存芯片,耗电量远低于普通芯片。IT电子产品使用的成品封装内存卡包含多个内存芯片。从目前的技术来说,一个内存卡能够封装4颗内存芯片。
SK海力士介绍说,将此次研发的8Gb移动DRAM封装为4芯片内存卡后,容量也将是4Gb DRAM芯片内存卡的2倍。SK海力士相关人士说:“如果是制造同容量的内存芯片,所需的8Gb芯片数量会少于4Gb芯片,所以内存卡可以做到更薄。这有助于生产更小更薄的移动终端机。”
有监于智能型手机以及平板计算机市况起飞,全球一级芯片制造商均大举投资移动DRAM产线,而SK海力士也预计将从2013年下半起,在该公司位于韩国的厂房量产这款移动存储器芯片。
根据Korea Investment分析师Seo Won-suk表示,在宏达电、Sony甚至是韩厂三星电子(Samsung Electronics)计划于2013年下半推出新款强调硬件规格的移动设备下,可望带动SK海力士相关企业营收的增长。
规格方面,SK海力士新款移动存储器芯片较现存4Gb产品更为轻薄,速度也将较4Gb产品更快。SK海力士新款8Gb移动存储器芯片提供高达2133Mbps的超高速资料传输速度,较现行4Gb芯片的1600Mbps为佳。