IM Flash也正在研发 3D NAND Flash

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-05-28 09:05
日前IMFT共同执行长(CEO)暨英特尔技术暨制造副总裁Keyvan Esfarjani在IMEC Technology Forum上揭露该公司发展3D NAND Flash的部分想法,并表示IMFT正在开发新的3D NAND Flash材料。但在Esfarjani的谈话结束后,面对台下向他提问IMFT是运用何种材料来生产3D NAND Flash的问题时,Esfarjani则表示这部分信息太过珍贵,无法对外分享,但IMFT确实正在开发相关新材料。
Esfarjani指出,NAND Flash在未来很长的一段时间内,都会是重要的信息储存媒介,未来几年市场规模也将持续成长,但由于现有的2D结构NAND Flash已经遇到技术瓶颈,要突破10纳米制程的困难度太高,因此,未来将由3D NAND Flash继续带领产业超越10纳米障碍。
他预估,2D NAND Flash大约还能继续发展两个制程世代,10~15纳米应该是2D NAND Flash技术的极限,因此,2D NAND Flash进入15纳米时代之际,3D NAND Flash可能会同步兴起。
3D NAND Flash虽可打破微影技术(lithography)的限制,但如何量测这类元件、可耐多层半导体制程高温的新材料研发、如何进行高深宽比蚀刻,以实作芯片内部的垂直通道等技术瓶颈,目前都还有待克服。
若3D NAND Flash技术开发完成,未来NAND Flash的结构层数应该会从32层起跳,64层则更为理想,因为16层NAND Flash芯片的经济效益不足。目前3D NAND Flash研发进展最快的业者为东芝(Toshiba),该公司已多次在学术会议上发表其利用p-BiCS (pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术制作16层3D NAND Flash的研发成果。

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