三星拟提前发表3D NAND芯片

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-04-01 08:24
根据韩国时报的报导,韩国三星电子要投入更多资源,希望年底前能发表首款3D NAND型芯片,较原先计划提前6个月,除了满足智能型手机等处理大量资料的需求外,也要巩固此前景可期的市场地位,相较于平面NAND Flash,立体堆叠芯片在成本、储存密度上都更具优势。
随著存储器产业渐趋集中、门槛越来越高,再加上技术层面上的不确定性越来越高、需求弹性越来越低,三星表示现在剩下的几家大厂难再有过去那般积极大笔投资的动作。此处所说的技术不确定性包括了10纳米级制程以下的技术限制。就目前的平面NAND Flash技术来看,要突破10纳米制程实有困难,这也使得立体堆叠技术成了突破关键。
目前包括IBM和东芝等芯片业巨擘,都竞相研发被视为下一世代主力的3D NAND型芯片,因为3D技术打破目前NAND型芯片的微缩极限。NAND Flash芯片采用非挥发性(non-volatile)储存技术,不需要电源来保存资料。但3D NAND型芯片采用3D技术,拥有更节省成本和保证有更多闪存格(memory cell)优势。
三星表示,现在全球闪存芯片业只剩少数主要供应商,拼命「烧钱」时代已经过去,三星要提升3D NAND型芯片的生产技术。芯片商在平面NAND型芯片上,正面临10纳米制程以下的技术极限,让芯片业要为此做出调整。
三星认定3D NAND型芯片,将在未来2到3年内成为业界主流,这也意味著未来智能型手机、平板计算机(Tablet PC)等移动设备将能以更低成本获得更多储存容量。由于生产成本能够降低,又具备大量数据储存的能力,这表示消费者能以更实惠价格,购买智能型手机、平板计算机和其它数码设备。但在量产之前仍有一些技术问题要解决。Sanford C. Bernstein分析师纽曼(Mark Newman)认为,3D NAND型芯片的制程复杂,可能要使用不同的工具组。

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