内存设计厂钰创(5351)受惠利基型DRAM价格连续数月上涨,营运出现转机,第2季可望顺利转亏为盈,而钰创布局年余的USB 3.0控制IC市场亦传出接单捷报,新推出的USB 3.0U盘加速器获美国模块大厂Corsair采用,今年全年出货量将超过千万颗规模。
钰创布局USB 3.0控制IC市场已逾一年,看好今年出货将出现爆炸性成长。在主机端(host)控制IC部份,获得微软Windows 8软硬件认证通过,拿下桌机及主板逾半市占,同时拓展欧美网络储存服务器(NAS)及路由器、对接设备(Docking)、大陆数字电视等市场,累计出货量已逾1,000万颗,今年挑战平均月出货量逾100万颗。
USB 3.0U盘设备端(device)控制IC部份,钰创传出接单捷报。美国模块大厂Corsair在今年美国消费性电子展(CES)推出超高速USB 3.0U盘,采用钰创最新USB 3.0加速器EV2669单芯片。
钰创发表的2款USB 3.0设备端控制芯片,分别是搭配MLC(multi-level cell)、以及TLC(triple-level cell)同步式闪存的芯片。钰创表示,搭配MLC内存的EV2669最快读写速度可达每秒260与235MB,而搭配TLC的EV1669芯片最快读写速度则可分别达每秒100与80MB,有效拉高USB 3.0储存设备的运作效能。
钰创还表示,过去USB 3.0因读写速度效能与2.0差异不够大,致终端需求未能有效随着控制芯片效能不断演进,目前已有欧美客户大力导入该款产品,亚洲客户导入意愿亦同步增加,预期下半年起出货动能可望有效增温。
钰创说明,过去USB 3.0设备受限于读写速度、以及单信道的运作环境,搭配TLC内存时虽有容量大、便宜的特性,不过速度较慢,难以完全发挥USB 3.0的运作优势,因此电子厂导入意愿不佳,而钰创最新推出的产品则从控制芯片端改善此一状况,提供客户更佳性价比的产品选择。
根据钰创的观察,目前已有不少欧美客户对该系列高速读写控制芯片表达兴趣,也有产品已进入design-win阶段,而送样韩国客户的过程中,客户反应也不错,预期下半年起USB 3.0相关芯片产品的出货能量就会有效提升,整体看法相当乐观。
钰创强调,钰创的USB 3.0控制芯片无须外挂驱动程序,就可达到全球最快存取速率,此外,该产品系列无须透过多颗IC作整合,而将整个系统整合到单一颗芯片(SoC)内,大符缩短系统厂商导入设计时间,快速在市场上推出「超高速度」著称的USB3.0快闪记忆碟,并已获国际客户的支持与采用,持续抢占市场商机。
钰创表示,设备端控制IC去年下半年以来累计出货量已逾百万颗,而今年因英特尔及超威的计算机平台原生支持USB 3.0,因此内部目标是今年出货量要突破千万颗大关。法人预估,钰创今年底累计出货量至少可上看2,000万颗。
在利基型DRAM事业部份,钰创指出,DRAM产业经过整并后,市场已由三星、SK海力士、美光等3大厂主导,由于大厂产能均移转投入Mobile DRAM,去年利基型DRAM市场供给过剩,但今年初已供需平衡,价格也陆续调涨,看好第2季后市况会明显好转,且不排除会出现供不应求情况。
钰创去年仍出现亏损,但今年受惠于利基型DRAM涨价,以及USB 3.0控制IC放量出货,法人预估,钰创第2季就可缴出获利成绩单,营运由亏转盈,今年全年也可望出现获利。钰创则不对法人预估有所评论。
钰创新一代USB 3.0加速器全面量产出货,EV1669单通道U盘控制IC可支持TLC同步式NAND芯片,读取及写入速率每秒100/80MB以上,EV2669双信道单芯片已可支持2x及1x奈米NAND芯片,速率每秒260/235MB,是全球最快的USB 3.0控制IC。