Sandisk将过渡到1Y-nm世代?

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-02-05 09:45
SanDisk公司日前宣布计划在2013年第三季开始为其闪存产品导入1Y-nm世代的半导体制程。虽然在整个2013年还可见到该公司采用24-nm进行闪存制造,但该公司已在大量生产19nm产品,而且占2012年第四季整体产能的50%以上。
事实上,SanDisk公司的这项新闻发布意味着,该公司与东芝(Toshiba)的合资企业Flash Forward公司将在位于日本的300mm晶圆厂Fab 5开始制造可说是半导体产业史上最小型的商用IC。除非IM Flash、三星(Samsung)或海力士(SK Hynix)等任何一家竞争对手能更先超越这一先进制程。
根据SanDisk的制程开发蓝图,在2013年导入的1Y-nm世代预计将可为128Gbit内存IC降低成本,而计划在2014年将进一步进展至1Z-nm世代制程,推出256-Gbit的单芯片内存。不过,究竟谁能推出最小型化的产品,一切都将取决于如何定义1Y-nm世代。
过去几年来,闪存制造商开始变得较为低调,不再大张旗鼓地发布其制程的最小几何尺寸,直到最近其中的某家公司开始讨论3x-nm和2x-nm制造制程。这意味着该公司分别以30-39nm之间以及20-29nm之间的几何制程为最小制程几何。而其他厂商也迅速地跟进。
这种心态就好像是如果一家公司在产品量产以前公开其制程几何细节的话,可能会担心竞争对手在某方面超越或甚至悄悄地抢占其业务。当然,一旦产品上市后,也可能经由反向工程咨询机构柝解其芯片,从而评估其最小制程几何。
为芯片世代进行定义的方式不再像以往为每制程节点指定一个数字了,如今的命名方式变得越来越随心所欲了。我们预期2013年或2014年将会出现采用20-nm后段制程的所谓16-nm与14-nm FinFET节点,但实际上还是20-nm制程。
对于Flash Forward、东芝和SanDisk公司来说,2X-nm节点就是24-nm节点,而1X-nm节点是19奈米节点。这似乎意味着1Y-nm世代大约落在15-nm或14-nm节点。这也将为其1Z-nm世代预留11-nm或10-nm的空间,但这在目前被认为是最不可能实现的NAND闪存世代。

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