在韩系大厂点火带动下,DRAM报价从去年12月以来即呈现反弹格局,涨幅超过20%,创下近1年来新高,主流规格4GB模组合约价1月上旬再度大涨近10%,短期有机会挑战20美元,2Gb颗粒报价也将往1.2美元迈进,包括DRAM模组厂、DRAM厂华亚科(3474)以及相关通路商均可受惠。
最新公布DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储)1月上旬合约价,其中主要规格的4GB、2GB(Gigabyte,10亿位元组)模组与4Gb、2Gb(Gigabit,10亿位元)颗粒报价涨幅落在8.57~12.35%之间,短期内涨势将延续,各产品均有机会再创新高价。
这一波涨势主要拜韩国三星与海力士的减产之次,因从需求面观察,本季的笔电预估出货量将较上季减少13.3%,而英特尔的最新款处理器Haswell也要到第2季才推出,短期内的需求能见度相对疲弱。
NAND Flash1月上旬合约价同步出炉,大致上持平开出,呈现0~1.62%的涨势。NAND Flash需求已在去年第4季达到高峰,但因模组厂商库存水位偏低,加上针对中国农历年销售备货动作在本周展开,加上NAND Flash原厂将产能逐渐转到系统产品与采取减产的策略依旧下,预期在中国农历年前的价格可望持平,之后则步入淡季转趋供过于求。

