DRAM价格持续大涨,2Gb DDR3现货价上周末创下近2年新高,并带动合约价走扬。存储器厂华邦电(2344)去年完成自有46纳米制程微缩,加上取得代工厂30纳米制程产能,顺利将DRAM平均成本压低到0.9美元以下,第1季几可确定将由亏转盈,且会是台湾第1家开始赚钱的DRAM厂。
工商时报上月底独家揭露DRAM价格符合「现货价涨破合约价、双价双涨」的条件,出现暌违一年的黄金交叉,正式宣告DRAM价格波段涨势即将开始。事实上,2Gb DDR3现货价上周末已站上1.2美元,月底前可望向上挑战1.5美元,而1月上旬合约价也同步大涨5~9%,2GB DDR3模块价位已回升到10美元,下旬合约价已喊出10.5~11美元新高价。
受惠于国际DRAM厂大幅削减产能,自去年12月以来,DRAM价涨幅已逼近5成,且创下2年新高价,台湾DRAM厂今年均有机会转亏为盈。其中,华邦电因制程微缩速度快,加上低成本抢下30纳米先进制程代工产能,以现在2Gb DDR3的1.2美元价格来看,早已由亏转盈,成为台湾首家赚钱的DRAM厂。
华邦电去年下半年全面进行制程微缩,包括将NOR快闪存储器主流制程微缩到58纳米,DRAM及类静态随机存取存储器(Pseudo SRAM)制程亦顺利转进46纳米。另外,华邦电去年底买下同业手中的浸润式(immersion)微影设备,并取得30纳米制程DRAM代工月产能约1万片,将在今年1月起开始出货。
业者指出,30纳米制程可切割1,500颗2Gb DRAM良品颗粒(good die),华邦电取得的代工价不到900美元,加上0.2~0.3美元的封测成本,平均总成本(full-loaded cost)压低到0.9美元以下。以现在1.2美元现货价来看,不仅获利率逾3成,也已来到「卖3颗、赚1颗」的荣景。
另外,华邦电的NOR Flash、低功耗DRAM、高密度Pseudo SRAM等产品,成功打入东芝、联想等一线大厂行动装置,上季营收仅季减5%达62.35亿元,优于市场普遍预估的季减7~10%。由于制程微缩已顺利进行,毛利率可望大举拉高,本业亏损赤字已大减,而第1季在DRAM价格大涨带动下,转亏为盈已在望。

