SK海力士将开始生产3D闪存芯片

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-01-05 09:50
          据韩国时报(The Korea Times)报导指出,韩国SK海力士(SK Hynix)将开始批量生产用于资料密集网络设备的先进3D闪存芯片,该公司还表示将使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术,并将成功完成测试的芯片样品交给客户。
SK海力士的VSAT技术发展,主要是由CEO权五哲主导,SK海力士已经申请了有关专利,以确保在与对手的竞争中居于优势。并将抢占快速成长的网络消费性电子产品市场,如智能型手机与平板计算机等。
闪存芯片有一个简单的结构,可以拥有较高的密度与较好的储存能力,因为此芯片能耐用、较能承受机械冲击、温度变化与高压环境。但主要的芯片制造商需要进一步削减成本,以应对主要客户如苹果和其他个人电脑制造商日益增加的需求。
一般而言,3D存储器技术包括了垂直闸极VG(Vertical Gate)、P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)、TCAT(Terabit Cell Array Transistor)以及VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)等,而NAND Flash的四大主要阵营,包括了三星、SK海力士、美光(Micron)与英特尔(Intel),以及东芝(Toshiba)。
SK海力士的首席技术执行长(CTO)朴成旭也表示,所有的半导体公司都将投入更多的精力在3D闪存储器芯片的研发,但SK海力士更致力于早日实现量产。三星预计将在大陆的西安工厂落成后,生产3D快闪存储器芯片。

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