素有微电子界的奥林匹克国际盛会的国际级会议IEDM将于下周在美国旧金山召开,旺宏(2337)今年有5篇论文入选,其中2篇更获得大会评选为焦点论文(Highlight Paper),而旺宏也将在明年2月举办的国际固态电子电路会议ISSCC中,宣布全球首篇6bit/cell快闪存储器研究成果,先进技术研发进度上已与国际快闪存储器大厂并驾其驱。
今年旺宏获选为IEDM焦点论文的2篇研究成果,其中1篇所提出的MiLC(Minimal Incremental Layer Cost)制程工法,将众多且复杂的位线(Bit Line)以「阶梯式」的架构形成对外的连接点,简化了数据传输管道的安排。此制程最大优点在于大幅降低3D存储器制造过程中所需使用的光罩数目。
另外一篇则是探讨快闪存储器的自我缺陷修复(Self-Healing)技术。快闪存储器在经过高压操作重复的编写及抹除后,材料缺陷的产生将无可避免,导致产品有一定的使用期限,以最先进的存储器为例,约在1,000次左右。在这篇研究当中,旺宏提出一个崭新的想法,即提供适当的电流造成区域性的热源,藉此热源修复材料的缺陷,不仅可恢复元件既有的功能,同时还能延长元件的寿命。

