旺宏加速NAND Flash投入进程

存储器 中国闪存市场 Helan 2012-10-25 09:14
旺宏(2337)董事长吴敏求昨(24)日指出,今年是旺宏的谷底,推出的新产品包括65及45奈米的ROM(只读式内存)、75及55奈米的NOR Flash(闪存),将带动旺宏明年优于今年表现,预计明年下半年转盈。
旺宏昨日召开法说会,公布今年第3季财报,单季营收72.61亿元,较前一季增加25.2%,单季毛利率达11.5%,略高于前季的10.9%。受到12吋厂开始营运,加上今年第3季减产,第3季毛利率远低于去年同期的31.2%水平,第3季单季税后净损11.82亿元,每股亏损0.34元,累计今年前3季每股亏损1.04元。
吴敏求指出,整体景气来看,今明两年皆不乐观,而旺宏今年第3季为了有效降低存货水位进行产能节制,第3季产能利用率为80%,进入第4季淡季,产能利用率将再低于80%,不过,高毛利的75奈米NOR Flash产品比重将会增加。
旺宏今年下半年高阶制程产能将逐步提升,吴敏求表示,虽今年第4季面临淡季效益,但旺宏的产品结构有很大的改善,以新的产品结构来看,单月营收达到30亿元将可达到损益两平,到明年下半年将有转盈机会。2012年资本支出预计会低于新台币37亿元,2013年的资本支出金额预计会减少。
在产业需求不振、供需失衡之下,旺宏也正式宣告进入减产,旗下12寸晶圆厂减产幅度约50%。以此座厂Fab5单月产能1.8万片计算,减产后投片量仅剩1万片,预计第4季整体的产能利用率将低于80%。
对于布局NAND Flash市场的动作旺宏也越来越全面,目前分两路进行,一是512Mb和1Gb芯片目前送sample阶段,目前先以75纳米制程练兵;未来将开发最先进的36纳米制程,目标是2年内开发4Gb芯片。另外是开发最先进的下世代NAND Flash的3D NAND技术,公司研发此技术超过10年,以堆叠8层的方式来降低成本,锁定高容量存储器芯片市场,预计3D NAND技术可在2014和2015年正式量产。届时将可以高容量产品线追上三星电子(Samsung Electronic)、东芝(Toshiba)等国际大厂脚步。

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