从 PC ODM 出货预估做观察,今年度PC整机的出货高峰期已过, 10月份 NB 出货量已呈现逐步下滑走势,代表 DRAM 需求量亦逐月变小。由于4GB模组已经正式成为出货主流,相较于2GB模组跌价幅度较为明显,均价跌幅为1.54%,来到16美元价位,而低价更跌破16美元来到15.75美元,换算2Gb颗粒仅0.83美元,几乎与现货颗粒价格同价。
从2GB模组价格观察,与9月下旬合约价相同,均价仍为9.25美元,显示在模组价格跌无可跌情况下,DRAM供应商策略性的将出货集中在高容量4GB模组,冀望能够在需求低迷时带动单机搭载容量以刺激销售。受到整体经济影响,各DRAM厂的颗粒价格已经逼近甚至跌破现金成本,需求迟迟未见起色,打乱DRAM供应商原先要转出PC DRAM产能的脚步,目前仍呈现供过于求状态。
时序即将进入2013年,各家厂商亦着手进行明年生产策略规划,即便是身为产业龙头的三星半导体(Samsung),对明年的资本支出以及位元成长也保持高度谨慎态度;除了放缓28奈米的转进时程之外,在EUV时代前仅计划再转进至25奈米,并且以获利率的考量下,将先进制程优先导入行动式记忆体,显见整个产业策略的重心已经从过去的PC DRAM转向手持式装置。展望2013年,预估产业环境转变会逐渐尘埃落定,竞争者汰弱留强之下位元产出会逐渐放缓,与后PC时代的需求端接轨。
往年受到PC换机潮的带动,DRAM供应商莫不加紧脚步做制程转进,以求成本结构的最佳化,从2009年的60nm直到2012年的30nm,每年几乎是以1~1.5世代做交替。然而,除了受到总体经济持续低迷的影响,PC出货量逐年衰退,再加上近年来智慧型手机与平板电脑排挤消费者原本就有限的预算,使得PC的换机周期由原先平均2~3年拉长至4~5年间,买气迟迟无法有效提升。
就DRAM供给端而言,制程演进同时换来大量增产,造成近年供过于求市况持续,DRAM产值不断萎缩,绝大部分的厂商遭受严重亏损,资本支出规模亦逐年下降。以市占最大的韩系厂三星与SK海力士(Hynix)而言,现今主流制程仍以30nm为主,至于最先进的20nm由于设计难度甚高,预估要明年第二季后才有过半的产出量,正式成为出货最大宗。
由于三星的20nm仍以伺服器记忆体与行动式记忆体为主,标准型DRAM的生产反而会以40与30nm持续供应,预估2013年供货的位元成长率仅为19%,与往年相较已呈现大幅趋缓。美光(Micron)与尔必达(Elpida)正在进行30nm的制程转进,其中尔必达已经完成客户验证,逐月放大该制程出货量。
但对台系厂而言,由于亏损幅度较大,除了制程演进速度逐步趋缓以外,也规划将PC DRAM产能陆续移出。后续南科将会淡出标准型DRAM的供给,转进利基型记忆体及代工业务,而力晶标准型记忆体出货也已大幅下修,目前每月投片量仅剩20K。在各生产者有共识的将脚步放缓的前提之下,预估2013年的位元供给成长仅有22.2%,为历年来最低水位。
目前DRAM产业仍是完全竞争市场的态势,在严重供过于求的情况下,决定价格的控制权仍掌握在买方上。而现在无论是合约或现货市场,4GB模组价格都已跌到历史新低,且尚未观察到买气复苏迹象。价格能再下探的幅度有限,短期之内除了减产以缩减供货量外,长远而言,仍需要各竞争厂商一致性的调节产能,缩小资本支出期许2013年DRAM产业回归健康面。