看好3D NAND技术发展 解决微缩瓶颈

存储器 中国闪存市场 Helan 2012-10-19 09:19
台系存储器大厂旺宏18日在SEMATECH研讨会中重申看好3D NAND技术,同时也看好不同的新存储器技术持续被研发。半导体制程微缩逼近极限,微影技术成为最大挑战,虽然全球半导体都压宝在极紫外光(EUV)机台身上,然NAND Flash马上要进入1x/1y纳米制程阶段后,微缩瓶颈就在眼前,EUV技术远水救不了近火,因此各种不同的NAND Flash架构被提出,3D NAND技术被认为是最快的解决方案。
解决制程微缩瓶颈的方式有不少选择,但在全球资金都投入ASML之后,EUV技术变成全球众望所归主流,但ASML也坦承,目前的机台技术离经济规模量产还有一段距离,而不同领域的半导体客户对于EUV机台有不同的期待和需求。
由于存储器晶圆线条规则且方向一致,一个光罩可能只要曝光四次就够,但晶圆代工和逻辑产品就复杂许多,线与线之间的等距相异,因此需要曝光多次,到了10纳米以下,如果还在用多重曝光(Multi-Pattering)技术去作,不是不可以,但会因为曝光太多次而导致成本非常高。因此,晶圆代工和逻辑产业对于解除显影技术的瓶颈是需求孔急,但反之,存储器业者对于曝光次数要求则没那么多。
惟眼前面对的问题是,DRAM芯片在20纳米制程以下就会面临微缩困难,而NAND Flash则是在1x/1y纳米制程以下面临挑战,这都是马上会来临的问题。
因此,对存储器业者,尤其是快闪存储器业者而言,势必是无法等EUV机台技术成熟,制程技术无法再微缩的问题已莅临眼前,各界已提出非常多的不同技术作为解决之道,而3D NAND技术是最被看好能快速解除瓶颈的方式。
ASML表示,公司表示宣布买下光源供应商Cmer,就是为了快速解决光源这个瓶颈问题,加速EUV技术开发。虽然买下Cymer,但也承诺客户会在机台设备的设计上,不论是248、193浸润式微影机台(Immersion Scanner)或是极紫外光(EUV)机台,都可以兼容不同于Cymer供应的雷射光源,以利客户对于光源供应有不同的需求。
ASML买下Cymer除为了加速18寸机台开发之外,另一目的也可协助客户降低采购雷射光源的成本。进一步表示,绝对要加速EUV开发的速度,因为半导体产业不断前进,市场不等人,因此公司才决定把大多数的资源投入最先进的技术领域,而光源绝对是EUV瓶颈,预计进一步结合Cymer技术和ASML继有的技术基础,可快速达到客户要求。
ASML之前已出货6台pre-production的EUV机台(NXE:3100)给台积电、英特尔、三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、GlobalFoundries、IMEC。公司也承诺客户将推出量产机台(NXE:3300B),且目标是在2014年达到每小时生产69片晶圆目标,终极目标是每小时产出达125片晶圆。而对照目前浸润式微影机台每小时的产出片数可达230片,代表一天可曝光5,000片晶圆。

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