智能手机内DRAM芯片容量日渐上升且规格更趋一致

存储器 中国闪存市场 Helan 2012-09-27 14:10
根据信息分析服务机构IHS报告,预估今(2012)年出货至全球的智能型手机动态随机存取内存(DRAM)平均数量将飙升近50%,主要系因这些先进手机的功能更加强大。
今年智能型手机内的平均DRAM容量将扩充至666MB,高于去(2011)年的453MB和前(2010)年的202MB。
智能型手机内的DRAM芯片平均密度目前亦正在攀升当中且正变为更加统一。在今年的智能型手机DRAM市场里,4Gb容量芯片市占率大约为37%,紧追在后的则为8Gb容量芯片,其市占率则是36%。
然而,明(2013)年8Gb容量芯片市占率则将达到46%,比下4Gb容量芯片的28%市占率。
16Gb容量芯片则预计会在未来数年内拿下最多市占率,显示未来一段时间内的DRAM密度成长将持续不受干扰,但其今年市占率将仅为2%,明年会跃升至15%,明年和后(2014)年则会超过4Gb和8Gb,之后在2015年前会成为市场主流,市占率高达56%。
预测分析师Clifford Leimbach表示:「由于智能型手机变得更为精细,内存使用持续走升 - 不仅为了要满足使用者期望与需要,也要适应更为强大的处理器与日渐精良的LCD屏幕所产生的需求。并且,当智能型手机内存储器已经增加时,产业亦自复杂具区别性的内存密度世界移往更为简单的领域之内。」
报告中亦指出,智能型手机内的DRAM密度与DRAM负荷的上升情形亦可与智能型手机内另种类型内存的积极成长相媲美,亦即NAND闪存(NAND flash memory)。
一年前,智能型手机内的NAND内存容量仅为1GB或是2GB,范围极小,但根据IHS iSuppli拆解分析服务的观察,今年则没有任何手机采用低于16GB容量的NAND内存,产生了巨幅改变。

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