全球内存市场到2020年时规模可望上看1000亿美元的水平,台湾虽然在DRAM市场上败阵,但目前主流的DRAM以及NAND Flash在制程进入1Xnm以下即会面临瓶颈,下世代内存如PCM、STT-MRAM、PRAM将开始在2016年起趋于成熟,并可望取代目前主流的内存,台厂若可在小而美的利基型/SoC产品抢先布局,还可望在下世代内存市场寻求翻盘的机会。
依估计,全球半导体市场约有3000亿美元,而其中内存市场约有600亿美元的水平,台湾目前内存在全球市占率约6%,但到2020年时,全球内存市场规模可望上看1000亿美元的水平。
而在目前主流的DRAM以及NAND Flash的部分,2006-2020年两者分别的年复合成长率为48%以及75%,二年后NAND Flash的市场即会超过DRAM,而目前DRAM已进入2Xnm、NAND在2013年进入1Xnm,预计到2017年时,DRAM也将进入1Xnm的时代,但到了1Xnm以下的时代,制程微缩将遇到重大挑战,也严重影响内存成本、容量以及效能。
也因此,针对下世代内存,包括PCM、STT-MRAM、PRAM等,国际大厂已纷开始布局,这三个下世代内存各有其优缺点,其中PPAM具有最快的速度、成本和省电优势,可取代NAND Flash;STT-MRAM则有速度和省电优势,但成本不及NAND Flash,以取代DRAM为目标;PCM成本优于DRAM和NOR flash,但仍较耗电,以取代Nor flash为目标。
至于国际大厂,目前三星已预计将于2015年将RRAM和STT-MRAM商品化,非内存厂商如SONY、HP以及中国的中科院和民间企业也在进行研究,在台湾,目前则包括有旺宏(2337)、华邦电(2344)以及台积电(2330)已针对下世代内存进行研究。
台湾拥有全球第一的晶圆代工以及专业封测产业,IC设计也是全球第二名的地位,客制化设计服务能力强,虽无法与三星在内存产业投入的资本支出以及对下世代内存的研发支出相抗衡,也缺少出海口以及上下游垂直整合能力,但若可锁定小而美的利基型/SoC产品,强调客制化以及设计弹性,还可望在下世代内存市场寻求翻盘的机会。