三星电子(Samsung Electronics Co.)11日宣布,位于中国大陆西安的10nm级NAND型闪存(NAND Flash)制造厂将会开始动工,预期可在明(2013)年底兴建完成,并于2014年起开始投产。三星希望分散生产线的所在地并满足日益高涨的NAND Flash需求。
三星指出,该公司一开始会投入23亿美元的资金,未来几年的兴建支出将会达到70亿美元,使西安厂成为三星有史以来投资额最高的海外芯片制造厂。三星目前在德州奥斯汀市拥有另外一座海外半导体厂房。
三星曾经表示,西安之所以雀屏中选,是因为该城市拥有良好的工业与信息科技基础建设。这样的环境可让三星轻松取得水电,并可和相关企业进行研发工作。

