美光宣布大规模量产45nm PCM相变存储闪存

存储器 中国闪存市场 Helan 2012-07-19 11:28
下一代非易失性存储技术争霸战中,MRAM(磁阻随机存取内存)得到了最多关注,包括Intel、高通、三星在内的业界大腕也都在研究这一技术,另一个竞争者就是PCM(相变内存),美光在美国爱达荷州的总部宣布,该公司已经开始量产面向移动设备领域的相变内存(Phase Change Memory,简称PCM)。
美光已经成功大规模量产PCM,这将为PCM进入市场提供更多可能。目前量产的产品使用45nm制程工艺,规格为1个1Gbit的PCM颗粒与1个512Mbit的LPDDR2 DRAM组成堆叠封装,二者使用相同的传输接口,工作电压为标准的1.8V。
美光公司希望初期的产品用于功能手机中,因为目前制造出的PCM容量还比较低,未来的PCM产品有望用于智能手机和平板中。
作为美光最亲密的合作伙伴,Intel也表明了力挺态度。Intel移动通信事业群组副总裁Stefan Butz称该公司一项站在技术的最先端,在美光的PCM技术上看到了广阔的前景和价值。
PCM闪存是以bit为单位进行单元擦除,这与NAND闪存以block区块为单位擦除有明显不同,因此擦除速度更快,这意味着其写入性能更高,美光的F&Q页面上表示PCM随机读取速度有400MB/s,这还只是第一代产品的性能。此外,美光表示PCM闪存的启动速度更快。
与NAND闪存一样,PCM也存在写入次数限制,不过PCM的特性就是每个cell单元都可以存储多位bit,因此PCM的可靠性理论上高于NAND,美光生产的PCM闪存写入次数高达10万次,堪比SLC闪存。

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