华邦电制程升级效益 下半年可望显现

存储器 中国闪存市场 Helan 2012-05-18 10:29
华邦电子(2344)第二季业绩可望随着订单回笼而升温;同时将持续提升制程以降低成本,预计制程升级效益将于今年下半年显现。
华邦电子2012年资本支出为新台币36亿元,主要用在先进制程机台的购置,包括Specialty DRAM升级至46奈米制程以及Flash升至58奈米所需。
华邦电今年对旗下的NOR Flash产品看法最为乐观。预期随着58奈米产品出货增加将带动Flash成长,并进入车规市场成为成长动能。此外,华邦电将于今年下半年开始试产46奈米储存型闪存(NAND Flash)产品,扩展Flash的产品线。
在Specialty DRAM产品方面,为了降低市场价格战的影响,华邦转往高附加价值与中低密度的终端应用,同时提升至46奈米制程,有助于减缓价格下跌的压力。
在Mobile RAM(行动内存)部分,华邦电主要产品以Pseudo RAM为主,聚焦手持电子装置;并将推出新产品,46奈米Lower Power DRAM及Pseudo RAM产品预计在第二季底发表。
华邦第二季在NOR Flash成长带动下,业绩将比第一季回温,法人估营收可望季增逾一成,营运也将改善;下半年则随着制程转换完成后,可望提升成本效益。

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