NAND控制芯片厂财报两样情 慧荣/群联等表现亮眼

存储器 中国闪存市场 Helan 2012-05-02 08:52
上游存储厂三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、东芝(Toshiba)/新帝(SanDisk)的21纳米、20纳米、19纳米制程转进速度比市场预期快很多,且新工厂出货大增,导致NAND Flash价格大跌,2012年第1季更在淡季的影响下,让部分存储厂出现亏损的情况。
控制芯片厂2012年第1季财报陆续公布后,呈现两样情表现,慧荣、群联、安国等业者第1季都交出不俗的成绩单,创惟和擎泰陷入亏损的状态。
新旧储存产品持续改朝换代,更由于NAND Flash制程技术演进快速,IC设计公司几乎时时刻刻都面临淘汰赛的威胁,2012年处于旧产品快闪记忆卡、优盘转进新产品SSD、eMMC、USB 3.0时期,慧荣、群联、安国不约而同将2012年重点产品放在固态硬盘(SSD)、eMMC、USB 3.0等亮点产品布局;相形之下,创惟和擎泰在新旧产品青黄不接下,第1季财报则是陷入亏损。
慧荣营运在2011年攀上顶峰后,交出不错的2012年第1季财报,其中营收约6,402万美元,毛利率为49.5%,税后净利约1,400万美元,每单位稀释的美国存托凭证盈余0.41美元(约新台币12元);慧荣也预期第2季营收与第1季持平到成长10%之间,毛利率48~50%,营业费用预估为1,700万~1,800万美元,2012年营收将增加20~30%,毛利率48~50%,营业费用6,500万~7,000万美元。
慧荣指出,慧荣为某Flash大厂伙伴提供的eMMC控制芯片进入量产,这些采用慧荣控制芯片的eMMC模块(部份与mobile DRAM一起封装),已开始大量出货给数家亚洲手机代工大厂,应用于包括多款高阶全球旗舰机种在内的智能型手机,预期Q2至下半年,eMMC控制芯片的Design Win将持续增加,成为公司营收成长的重要驱力。
群联第1季营收达新台币82.21亿元,虽然面临NAND Flash价格大跌的巨大压力,但仍是交出税后获利6.87亿元、每股税后3.84元的好成绩;群联积极布局的eMMC、SSD、USB 3.0控制芯片会陆续转进55纳米制程,预计下半年会进入发酵期。
其中在eMMC控制芯片上,群联表示,2011年eMMC控制芯片单月出货量已突破1,000万颗,在3大国际大厂订单加持下,2012年第2季目标是朝2,000万颗迈进。
安国2012年第1季财报营收达7.52亿元,毛利率为38%,税后获利达0.93亿元,换算每股税后达1.18元,交出亮丽的成绩单。
安国从2011年第4季开始营运走高,主要是受惠Downgrade业务扩大,由于NAND Flash制程技术在进入19纳米制程后,上游供应商转进速度太快,很多芯片系统厂都不能用,转而变成Downgrade产品,因此在进入19纳米制程后,NAND Flash的Downgrade比重也扩大,安国很快吃下这块市场。

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