利基型记忆体厂华邦电(2344)于今(25)日召开第一季法人说明会。总经理詹东义表示,展望第二季,客户订单需求回升,尤其是NOR Flash更可见强劲需求,为营运成长最大的产品线,其次为Mobile RAM,Specialty DARM则稳健,而华邦电上半年虽要忍受制程升级时扩大投片量的成本提升冲击,但在制程升级良率稳定后,成本效益将会在下半年显现。
华邦电2012年资本支出为36亿元,主要用在先进制程机台的购置,包括Specialty DRAM升级至46nm制程以及Flash升至58nm所需。
华邦电第一季Specialty DRAM占营收比重为45%,NOR Flash为39%, Mobile RAM为15%。
詹东义表示,最看好的Flash产品线预计未来营收要占到40%以上,华邦电已在Serial Flash站稳领先地位,容量也自128Mb提升到256Mb,华邦电有优质的客户,且随着58nm产品出货增加将带动Flash成长并进入车规市场,预计未来会有强劲的成长;另外,华邦电将于今年下半年开始试产46奈米储存型快闪记忆体(NAND Flash)产品。
在Specialty DRAM方面,詹东义表示,此部分虽遇到同业竞争的价格压力,但华邦电转往高附加价值与中低密度的终端应用,以及随着46nm制程产品出货量成长,可减缓价格下跌的压力。
在Mobile RAM行动记忆体的部分,詹东义表示,公司主要产品以Pseudo RAM为主,聚焦手持电子装置,46nm Lower Power DRAM产品及Pseudo RAM产品预计在第二季底发表。
詹东义表示,虽然上半年华邦电面临46nm DRAM和56nm Flash制程转换的阵痛期,但在制程下半年完成后,成本优势将浮现。
而在市场应用面,华邦电营收37%来自Computing、32%来自Communication、28%来自Comsumer,几乎已是三分天下,詹东义表示,后两者还会有成长的空间,市场分散的效应浮现,不受单一市场起伏的影响。
詹东义表示,华邦电月产能虽只有3万5千片,但不受到不扩产的限制,会把3.5万片效应作最大化的提升,以第一季来说,WAFER产出在Flash约1.4万片、DRAM为2.1万片,但新增的Flash设备会在下半年导入,明年上半年时,投片将达到五五分布。