因半导体厂商看好智能型手机需求而纷纷扩增相关电子零件产能,导致零件供应量扩增幅度高于需求增加幅度,造成NAND型闪存(Flash Memory)、DRAM等智能机用电子零件价格正持续走跌。
报导指出,因东芝等NAND Flash厂商已着手量产更低奈米(nm)等级的产品,加上部份厂商将生产重心自收益性不佳的PC用DRAM转向NAND Flash,导致NAND Flash供应量急增,故3月份出货给记忆卡厂商的32Gb NAND Flash价格为3.8美元/个,较2月相比下滑了9%,64Gb产品价格也下滑了10%。
报导指出,在DRAM部分,每台行动装置搭载的DRAM数量虽呈现增加态势,惟因DRAM厂纷纷扩增行动装置用DRAM产量(减少PC用DRAM产量),故并未出现供应不足情况,因此4-6月4Gb DRAM出货价格大多落在5-7美元/个,较前季(1-3月)下滑了10-20%。
报导并指出,因半导体厂商为了扩大市占率,故料不会变更当前实行的增产分针,因此预估今后数个月智能机用零件料将持续呈现供过于求的局面。
朝日新闻于4月4日报导,因智能型手机等行动装置日益普及,带动NAND Flash需求将持续扩大,故东芝计划于今(2012)年夏天动工兴建新厂房,扩增NAND Flash产能,以藉此追击龙头厂三星电子;该座NAND Flash新厂房预计将于2013年量产。
南韩媒体《每日经济新闻(Maeil Business Newspaper)》曾于3月22日报导指出,三星NAND Flash新厂将坐落于中国大陆陕西省西安市。三星曾于去年12月6日表示,这座新厂预定在2012年动工兴建,到了2013年便可望投产。Thomson Reuters于4月2日报导指出,三星对上述西安NAND Flash厂的投资额预估将达70亿美元。