美国飞索半导体(Spansion)与韩国SK Hynix宣布,双方将就飞索半导体正在开发的NAND闪存技术展开合作(英文发布资料)。双方就该技术签署了交叉授权协议,由SK Hynix负责量产。据介绍,合作后推出的首款NAND闪存产品,将从2012年4~6月开始供货。
此次的合作对象是用于汽车、工业设备以及通信产品等的嵌入设备的NAND闪存。其特点是以电荷捕获技术为基础,是一种擦写特性等出色的非多值(SLC)产品,飞索半导体很早以前就开始为该产品的产品化做准备。在此次合作中,将由SK Hynix负责量产NAND闪存的4X~2Xnm工艺产品。
飞索半导体原来在NAND闪存技术方面与尔必达存储器存在合作关系,原本计划将生产委托给尔必达。但由于尔必达破产,飞索半导体将合作对象换成了SK Hynix。