平板计算机与智能型手机大卖带动NAND型闪存(NAND Flash)的庞大需求,为了趁势缩小与内存产业龙头三星电子(Samsung Electronics)间的差距,南韩内存大厂Hynix Semiconductor Inc.将急起直追。韩国13日报导,Hynix执行长O.C. Kwon 13日在记者会上指出,今年会把重心放在NAND型闪存的计划上,将尽可能以最快的速度投入最多的资金来增加产量。
海力士目前在储存型快闪存储器领域的市场占有率维11~12%,希望在2012年内能够尽可能提高市占率。海力士预计在2012年投入4.2兆韩元(约37.38亿韩元)预算,其中将有一半以上的金额会用于发展储存型快闪存储器领域。
Kwon表示,Hynix在国外仅有无锡一个厂区,该厂可生产NAND型闪存。Hynix先前曾表示将扩大事业范畴,增加NAND型闪存相关产品(如eNAND)的产能,其中12吋晶圆厂月产能将自13万片升至17万片。Kwon相信Hynix在内存市场极有成长的机会,因该公司在技术、产品质量与价格方面均较有竞争优势。不过未来Hynix将朝非内存领域发展,长期而言系统LSI是最可能的走向。
一直以来Hynix无锡厂皆生产DRAM,去年度Hynix在全球DRAM市场的市占率约为20%,而NAND型闪存的市占则为12%。
今年三星也把系统LSI作为成长引擎。系统LSI在半导体产业当中所占比例超过80%。
海力士与SK集团(SK Group)的互补作用十分令人期待,尤其半导体属于成长快速、稳定性却明显不足的产业,SK集团刚好可以补足海力士在此方面的不足。SK Telecom和海力士的共通点是同样涉足移动通信产业,尤其海力士的营收有相当部分来自移动通信相关产品,2厂可能会有不少领域相互协助。