USB 3.0、SATA III陆续放量 业者卡位争商机

存储器 中国闪存市场 Helan 2012-02-02 09:40
2012年USB 3.0和SATA III 6Gb/s固态硬盘(SSD)终端应用将陆续普及,控制芯片业者也陆续就定位,其中台系IC设计公司在USB 3.0控制芯片速度上会较快,配合存储器模块厂的推广,可望让USB 3.0优盘取代USB 2.0产品的速度加快,业者预估2012年USB 3.0优盘比重可达30~40%。
USB 3.0优盘控制芯片领域中,2011年银灿抢先卡位成功,银灿是智原旗下转投资,而智原和联电也在1日宣布,双方将强化一系列矽智财伙伴关系,包含存储器编译器和标准元件资料库,以及智原最擅长的高速接口矽智财如USB 3.0、DDR3、SATA和audio DAC等。
SATA III的SSD是2012年科技产业亮点之一,存储器模块厂相争推出相关产品。
联电指出,根据与智原双方的协议,智原会将旗下矽智财提供给联电0.11微米到28纳米制程使用,可用于双方客户各式终端应用产品中,目的寄望有效缩短其系统单芯片设计的上市时程。
再者智原也表示,针对云端运算市场上,与联电的合作在客户和市场上已有不错的合作进度,且开始提供更高集成度的SoC芯片,且在成熟制程方面,则涵盖嵌入式系统应用包括智能电表、接口应用和微控制器等产品,藉由这次签订的进一步协议,让智原的设计能力和联电的先进制程布局更完整。
除了联电集团体系如智原、银灿外,2012年也有多家台系IC设计公司的USB 3.0控制芯片会陆续量产,包括群联、慧荣、擎泰、祥硕等,预计都会朝存储器模块厂和系统厂下手抢订单。
业界认为,USB 3.0优盘控制芯片供应者增加,有助于成本降低,但以目前成本架构趋势很难做到USB 3.0和USB 2.0优盘同价,势必还是会有一定的议价空间,估计2012年USB 3.0优盘比重的渗透率可达30~40%。
此外,USB 3.0优盘控制芯片对于TLC型的NAND Flash芯片的支持度很重要,因为在19纳米制程以下,低阶NAND Flash芯片的质量会变差,因此控制芯片必须要辅助NAND Flash芯片来提升读写次数。
另一个亮点产品SATA III的SSD产品上,这也是台系控制芯片业者著墨的焦点,但在产品研发技术速度上,USB 3.0控制芯片的速度会较快,目前SATA III控制芯片的技术仍是外商领先,台厂预计下半年会较成熟。
存储器模块厂日前也陆续推出SATA III的SSD产品,如创见的SATA III规格的新款SSD720正式问世。创见是采用LSI(前身为SandForce)的控制芯片,读写次数可达550MB/s及500MB/s,且具有开机快、传输档案快等优势,估计复制一部5GB DVD影片只需要15秒,同时也向下兼容于SATA II接口。
创见指出,目前新款的SSD720容量包括64GB、128GB和256GB等3种,都内建自动错误校正(ECC)功能和支持能自动侦测硬盘问题的S.M.A.R.T.指令,有助于延长SSD使用寿命。

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