DRAM厂纷纷婉拒削价竞争策略,1月下旬DRAM合约价从4GB模块开始涨声响起,但涨价力道仍有限,主要是PC OEM业者并未展现积极拉高存储器库存水位,或是拉高搭载内建的存储器容量的态度。不过,转进30纳米制程比重较高的业者,在涨价趋势的轨道上,离损益平衡点不远,因此台厂2012年最大目标是加速转进30纳米制程。
DRAM合约价从2011年起涨开始,业界认为这一波从供给面减产所引导的涨势,会先让报价站回1美元,之后再逐渐让采用30纳米制程生产的半导体业者跨过损平点,现货价在完成站上1美元目标后,虽然农历年前后有些回档,但成功让1月开盘的合约价跟进止跌。
1月上旬DRAM合约价正式止跌,下旬4GB存储器模块报价小幅升温至17.25美元附近,2012年4GB模块将会跃升主流地位,而2GB存储器模块的下旬合约价则是持平,平均价格约在9.25美元。
1月下旬DRAM合约价止跌起涨,但由于终端需求不热络,因此涨幅有限。
以40纳米制程的2Gb裸晶(未含封测)成本来看,约落在1.2~1.3美元,若是转进30纳米制程后,预计成本可降至0.8~0.9美元,因此这一波的DRAM报价反弹潮中,转进30纳米制程速度快者,可享有绝对优势。
除了国际大厂三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等抢先转进30纳米制程外,台厂瑞晶、华亚科等也是快马加鞭,瑞晶2011年底完成30纳米制程投片,华亚科目标是2012年中30%产能转进30纳米制程。
目前在供给端中,各厂除积极转进30纳米制程以降低生产制造成本外,暂时还没有业者有大幅增产的计画,这一波价格止跌反弹是拜减产所赐,因此如果业者又大幅增加投片量,恐让价格走到半山腰就无功而返。
再者业者表示,其实半导体供给链的DRAM库存不少,终端需求没这么强,目前又处于淡季,因此多数DRAM厂不会贸然增加投片量,惟有三星的态度是关键。
南亚科业务副总白培霖日前也在法说会中表示,2011年底已是DRAM价格的谷底,但如果这一波的价格反弹只有回升到1美元,那对整个产业而言还是很不合理。言下之意,要能根治DRAM厂的财务困窘,价格反弹力道必须更积极些。
DRAM业者认为,2012年农历春节因为大幅提前,过节前的交易十分清淡,目前市场也未见热络的交易量,各方态度观望居多,合约价止跌反应现货价的回稳,加上DRAM厂都不愿意削价竞争,因此DRAM价格预计可止稳一阵子。
但合约价未来走势仍是要看需求端买气,目前PC OEM厂并没有很积极想要回补库存的心态,也未必想大幅拉高存储器搭载容量,仍是抱持樽节零组件制造成本的想法。
展望2月合约价,市场仍是观望想法居多,单从终端需求面来看并没有让人振奋的消息,加上有产业集成等因素在,目前业者看法且战且走,但至少不会贸然大幅增加投片量。