存储器厂力晶自结2010年12月营收为新台币20.83亿元,仅较11月20.26亿元小幅下滑,合计2011年全年营收为377.15亿元;展望2012年营运,目前主力放在NAND Flash和晶圆代工业务策略不变,晶圆代工业务接获急单,40纳米制程16Gb容量NAND Flash芯片也量产,目前营运是处于现金流入阶段,对接下来存储器报价后市看法乐观。
力晶指出,近期受惠DRAM产业减产效应奏效,现货报价逐渐进入反弹,目前标准型DRAM策略上会快速导入30纳米,预计可持续降低成本,对于未来DRAM价格走势看法是逐渐往上。
在非标准型DRAM产业布局上,力晶接获LCD Driver、CMOS Sensor和电源管理控制IC急单挹注,使得晶圆代工投片量攀升至6万片水平,已达12寸晶圆厂50%产能,创下力晶历史新高,而目前标准型DRAM投片量仍维持在2万片上下。
再者,力晶近期积极开发的新产品,则是从合作伙伴尔必达(Elpida)无偿取得技转的Mobile RAM技术,结合自有的1.8V的1Gb容量NAND Flash制成MCP芯片,目前已通过客户认证且出货中。
力晶进一步指出,会持续朝著非标准型DRAM领域布局,在多元化产品策略下有助于公司转型和财务结构趋于稳定。