韩国政府终于同意三星电子(Samsung Electronics)在大陆设厂生产NAND Flash芯片厂的投资计画,投资规模高达40亿美元。
为了在大陆设置芯片厂的,三星向韩国政府提出「10纳米制程NAND Flash国家核心技术出口申请」,已经在4日获得韩国知识经济部受理。据传2011年12月,三星即为此计画向韩国知识经济部缴交投资申告文件。
韩国知识经济部表示,基于保护韩国电子产业技术的立场,已通报专门委员会针对三星的投资计画进行2阶段审查,最后决定通过三星在大陆的设厂计画。但为防止韩国核心技术被不当流出,三星应该规划、实施完善的技术保护策略,并且成立防止技术外流的专责小组,视企业实际运行状态进行严格的保安程序。
三星方面则说明,投资计画获得韩国政府同意后,三星即会尽速展开在大陆的半导体设厂规划,紧接著会与大陆政府进行芯片厂的设厂协商,可能会挹注大量资金在大陆当地。
三星将在2012年内决定在大陆的设厂地点并正式开始动工,预计从2013年中开始就可以进入稼动阶段。外界推测,三星可能选择目前拥有芯片后段制程产线的苏州,作为扩建腹地。
初步估计,三星在大陆建造1座芯片厂需要花费4兆韩元(约34.88亿美元),是继美国德克萨斯州奥斯丁之后,三星在海外布局的第2座半导体生产园区。
除了大陆外,三星也考虑在京畿道平泽建造半导体工厂。从2010年底起,三星即与京畿道厅签订条约,预定在平泽的高德国际新都市建造392万平方公标尺模的芯片厂,但若是三星决定扩建位在京畿道华城工业区的芯片产线,平泽半导体工厂的建造计画可能就得延到2015年之后,目前唯一能确定的是,三星计划在平泽生产的制品是IC系统芯片。