力晶近期接获LCD Driver、CMOS Sensor和电源管理控制IC急单,晶圆代工产能拉升至6万片达总产能50%比重;力晶指出,40纳米制程NAND Flash芯片日前进入量产,搭配从尔必达(Elpida)无偿技转的Mobile RAM做成512Mb和1Gb容量的MCP芯片,已接获数10万颗订单,目前正在开发28纳米制程的NAND Flash芯片,预计年底试产。
力晶在2011年初宣布退出标准型DRAM市场,当年底更宣布彻底转型,把标准型DRAM产能降至2万片水平,以力晶目前全产能12万片来看,俨然把标准型DRAM产品线当成不重要的清粥小菜看待,全力把公司资源放在NAND Flash芯片和晶圆代工等重点主菜上。
力晶3日表示,近期晶圆代工产品线包括LCD Driver、CMOS Sensor和电源管理控制IC等与行动装置相关的产品线都接获急单挹注,单月投片产能从原本的4万~5万片提升至6万片水平,占12寸晶圆厂产能的50%比重。
力晶除了行动装置芯片接获急单外,主力扶植的NAND Flash产品线也有所斩获,在70纳米和50纳米制程后,40纳米制程NAND Flash产品线也进入量产,目前NAND Flash芯片投片量已达6,000片,是台湾唯一拥有NAND Flash自主技术的公司,日前40纳米制程16Gb芯片获得台湾精品奖肯定。
值得注意的是,力晶随著NAND Flash技术渐上轨道,配合日前从尔必达手中拿到的Mobile RAM技术,正式敲开MCP大门。
力晶日前以NAND Flash芯片搭配低耗电的Mobile RAM做成512Mb和1Gb容量的MCP芯片,目前已通过客户认证开始出货,已接获数10万颗订单。
根据力晶内部规划,P3厂的产能约4.5万片,目前生产线已转成DRAM和NAND Flash芯片共享,主力会以NAND Flash芯片为主。
在标准型DRAM产品线的规划上,单月投片量已降至2万片,日前价格开始反弹,有微幅增加一些标准型DRAM产能,但短期仍是维持2万片上下,目前标准型DRAM产品线也开始试产30纳米制程,预计第1季末大量投片。
力晶指出,目前DRAM景气已确定落底,未来价格会缓步反弹,但不会大幅暴冲,以目前制程生产标准型DRAM产品,虽然仍是亏损但维持现金流入状态,待30纳米制程量产后,标准型DRAM产品线对营运会转为正面贡献。以2Gb DDR3现货价来看,3日报价已站上1美元短期目标。
力晶进一步表示,在LCD Driver、CMOS Sensor和电源管理控制IC订单挹注,加上NAND Flash和Mobile RAM逐渐大量,目前产能利用率较2011年第4季50%大幅提升。
2011年对力晶而言是非常艰钜的一年,主要是因为DRAM报价进入二次崩盘,力晶当年度的资本支出也紧缩至新台币约20亿元,展望2012年,在不花钱的前提下,会尽力达到产能多元化的配置,估计资本支出会控制在20亿~30亿元。