被天灾人祸、财务压力逼得喘不过气来的DRAM产业,终于度过苦不堪言的2011年,即使标准型DRAM价格谷底反弹,但长远来看,产业供过于求问题仍在,眼看国际大厂三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)都将重心转到NAND Flash领域,台湾仍苦陷于DRAM泥淖,力晶内部颇对2009年底产业集成时提出的TFC(Taiwan Flash Company)计画未付诸实行感到可惜。
力晶进入NAND Flash领域已有多年,2003年为瑞萨(Renesas)代工的AG-AND Flash,之后买断AG-AND Flash技术进入自己开发阶段,但过去几年来,力晶内部对于继续朝著标准型DRAM产品,或是转型做NAND Flash产品,一直有两派意见,但最后都仍是坚守标准型DRAM之路。
2011年确定PC趋势退烧后,标准型DRAM前景已确定走向死胡同,力晶也痛定思痛转型耕耘NAND Flash技术和产品,目前力晶是台湾唯一NAND Flash技术自主开发的存储器厂。
力晶表示,在NAND Flash产品和市场布局上,不会与三星、东芝等主流市场重迭,也不会去碰国际大厂擅长的高容量芯片领域,会锁定中低阶应用领域,如手机用的小容量NAND Flash芯片等,这块市场胃纳量不小,且国际大厂也不会想切入,力晶可在此市场中悠游自如,目前40纳米16Gb芯片已量产,计画年底试产28纳米。
目前多数台系存储器厂仍身陷DRAM泥淖中,象是旺宏、华邦也都想切入NAND Flash领域为未来营运找到成长动能,茂德过去也曾经想进入NAND Flash技术,但以目前进度来看,多数台厂都摸不到边,只有力晶的NAND Flash技术和产品确定是华人存储器厂中的唯一代表。
力晶内部颇为可惜2009年底TFC计画没有成功,当初经济部提出的「DRAM产业再造计画」中,原本只有台湾创新存储器公司(TIMC)提出以DRAM为主轴的版本,力晶赶在申请送件的截止日当天,提出以NAND Flash为主的TFC计画。
力晶当时提出的TFC计画,是强调台湾必须跳脱DRAM产业限制,进而转进NAND Flash市场,将过去DRAM产业的量产经验复制到NAND Flash产业上,并仿照TIMC模式把存储器模块厂、封测厂、等上下游产业链都一起拉近来筹资,不过,最后此计画未能付诸实行。
相较DRAM产业应用被PC箝制,现在NAND Flash产业受惠智能型手机、固态硬盘(SSD)、超轻薄本等应用大爆发,台系存储器厂也想尽办法要挤入NAND Flash市场。
不过台系存储器业者分析,NAND Flash在技术门槛上并没这么高,但关键是处处都是专利地雷,象是三星、东芝、新帝手上掌握太多NAND Flash专利,现在还在想办法解决,或是待部分专利失效后才可以大举布局。