2011年底由于智能型手机、平板计算机备货潮,挺住NAND Flash报价、意外没有出现崩盘情况,存储器业者表示,2012年高、低阶NAND Flash芯片价格走势将呈现两极化,高阶NAND Flash芯片取决于上游大厂转进19及20纳米制程速度,预期固态硬盘(SSD)用的高容量NAND Flash芯片恐将呈现微幅缺货状态,至于低阶TLC芯片在快闪记忆卡、优盘市场趋于成熟下,仍将小幅供过于求。
存储器业者指出,NAND Flash大厂和下游存储器模块厂抢进SSD、eMMC市场商机,预期此趋势将一直延续至2012年,不仅让2011年底NAND Flash价格大力挺住,业界更预期64Gb及32Gb高容量NAND Flash芯片在洛阳纸贵下,2012年恐出现小幅缺货潮。
不过,尽管自2011年开始SSD、eMMC商机逐渐发酵,然多数业者仍处于起步阶段,SSD受限于成本太高,加上只有Marvell、Sandforce(现并入LSI)等控制芯片业者支持,台厂几乎在此领域缺席,因此,SSD市场普及率仍有待加强。
NAND Flash业者表示,2011年全球SSD出货量约1,200万台,2012年将成长至4,000万台,预期2014年NAND Flash达到每1GB单位成本1美元后,SSD市场需求可望再度大爆发,2015年市场规模将冲至1.2亿~1.5亿台。
另外,eMMC亦是高阶NAND Flash芯片另一个重要推手,2011年市场面临最大问题亦是卡在控制芯片技术不够成熟,相关业者指出,2012年控制芯片技术问题获得改善后,有机会再创下一个eMMC需求高峰。
存储器业者认为,相较于高阶NAND Flash芯片市场背后推动力强劲,低阶TLC芯片表现便显得较不出色,主要系因快闪记忆卡、优盘等市场已太过成熟,唯一可期待的换机潮是USB 3.0优盘商机,随著IC设计公司USB 3.0优盘芯片产品愈益成熟,预计2012年市场渗透率会大幅提升,不过,由于USB 3.0优盘容量从16GB起跳,消费者是否需要这么大容量存储器,有待进一步考验。
由于2012年NAND Flash大厂制程会推进至19和20纳米,可望驱动成本进一步下滑,但芯片质量是否会越差,可能是一大考验。整体来看,2012年高、低阶NAND Flash芯片市场将呈现不同风貌,高阶芯片因为SSD、eMMC应用够强,缺货机率较高,但低阶芯片则可能仍是生产过剩情况。