进入年底,DRAM报价在供给面控制下逐渐止跌,日前现货报价稳步攀升,预计农历年前目标站回1美元,且对12月下旬合约价止跌有稳定作用,2GB DDR3模块合约价格虽然跌破10美元,但年底并没有持续破底,整体来看,2012年DRAM报价是从低基期出发,减产潮效应带动的价格止稳是第1步,接下来要看硬盘缺口解决后个人计算机(PC)销售状况是否能转佳。
2011年现货价格跌幅高达70%,从年初2.32美元下滑至0.7美元,中间又有日本311强震干扰,PC产业链短暂中断加上通路商囤货的人为干扰,打乱整个产业链过去该有的季节性变化,DRAM厂不但连季亏损且营运不断呈现现金流出,不得已在第4季宣布大规模的二度减产,为价格跌幅设下停损点。
日前在减产效应的预期心理因素,加上多数DRAM厂都谢绝低价买盘,不愿意杀低出货下,现货价开始展开短线触底反弹,目前2Gb芯片报价在0.8美元附近已超过1周,因为0.9美元附近的卖压大,但预计农历春节前有机会突破此区域并回到1美元水平。
DRAM厂表示,这一波价格反弹是由供给面主导,需求面其实没有太多改善,尤其是现在是PC产业传统淡季,加上硬盘缺货问题导致DRAM需求不佳,但上游厂不堪现金大幅流出,且亏损扩大是事实,因此各厂都不愿意再砍价或低卖,之前没有备到足够货源的下游通路商只能追价买进。
合约价方面,由于现货价格止稳,也带动12月下旬2GB DDR3模块合约价止跌,模块报价在跌破10美元后,没有持续探底,在年底能有止跌情况出现,2012年DRAM价格走势算是倒吃甘蔗,不过因为市场进入年底盘点,紧接著又是农历春节,因此市场成交量其实相当清淡。
以制程技术来看,台厂最先进的制程为瑞晶和华亚科,目前几乎都以40纳米制程投片,但仍是不敌价格跌幅,瑞晶营运也由盈转亏,三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)等已开始转进30纳米,并准备在2012年跨入20纳米制程,台厂目前在制程竞赛中的落后令业界忧心,原本落后国际大厂1个世代之多,目前落后接近2个世代之距。
台厂在制程技术落后下,因应之道是转进非标准型DRAM产品,包括力晶退出标准型DRAM市场、南亚科转攻利基型存储器产品等,避开对成本结构极为敏感的标准型DRAM,也落实产品多元化的策略。