尽管DRAM合约价持续下跌,然现货价近2日强劲反弹逾10%,业界传出海力士(Hynix)、美光(Micron)等国际大厂极力守住现货价,尤其海力士积极拉升价格,随著各家DRAM厂都谢绝低价买盘,使得DRAM现货价冲高,下游模块厂亦出现客户追价急单涌入,若量能不退,短期2Gb DDR3可望逐步反弹至1美元关卡。
DRAM大厂难再忍受长期低于现金成本的价格,随著现货市场库存逐渐消化完毕,DRAM厂开始锁货拉抬价格,加上海力士、美光第4季减产效应会在2012年初发酵,未来1季供给量大幅减少,遂着手从现货市场开始止血,近2日坚持谢绝低价买盘,逐步拉高价格,南亚科亦认为没必要再低价出货,使得2Gb DDR3现货价在濒临历史低点0.5美元之前紧急拉回。
DRAM下游业者表示,近期海力士积极拉升价格,不仅守住0.7美元,并试图拉到0.85美元,然客户仍有所迟疑,买卖双方持续拔河中;至于美光亦是低价不出货,报价力守0.7美元以上,加上季底作帐后,美光压力减小,进而顺利拉抬价格,14日最高报价已碰到0.9美元水平。
存储器业者指出,DRAM报价在短短2日上涨逾10%,可视为短期底部讯号,虽然目前终端需求普通,这一波反弹行情系由供给面主导,加上现货市场货源不多,力晶等纷淡出现货市场,DRAM大厂不再考虑库存、年底作帐等问题,趁著现货市场流通量少,适时为价格设下止血点。
由于DRAM现货价格连续2日大涨,激发原本不愿意备库存的通路商积极下单,模块厂表示,许多空手无库存的客户看到DRAM价格猛涨,都赶紧下急单,并带动终端价格上涨,但幅度不会像芯片价格这样猛,将会逐步上调。
DRAM业者认为,这一波反弹行情目标锁定2Gb DDR3涨至1美元,但在0.9美元附近压力颇大,若交易量能持续放大,有机会反弹至1美元以上,并有利于未来合约价谈判。不过,就算回到1美元价位,DRAM厂亦只是喘口气,还谈不上获利,要等到硬盘供货问题解决,需求点火后才有机会走出阴霾,然若DRAM厂因价格反弹又回复产能,则仍可能再陷困境。