全球最大存储器制造商三星电子(Samsung Electronics) 2011年第3季营收中,非存储器比重已增至42%,反观海力士(Hynix)仅3%。若以存储器事业而言,三星来自NAND Flash营收达45%,亦高于海力士所占比重31%。
海力士在非存储器获利高于存储器,加上NAND Flash单价跌幅小于DRAM情况下,2011年第3季营运表现便逊于三星。
但海力士来自NAND Flash营收比重,由2010年第3季16%持续提升,2011年第3季已达3成左右,未来还有机会持续提升。不过以制程技术而言,海力士目前量产技术仍停留在26纳米,与三星差距有拉大倾向。
以三星与海力士合计NAND Flash市占表现来看,已持续提升至49.3%,且2公司对兴建新厂皆积极,三星甫宣布将于大陆兴建NAND Flash工厂,以实时供应当地客户所需,海力士亦筹划于韩国清州兴建M12厂,预计2013年开出产能,对其它竞争对手将是不小的威胁。