海力士投震撼弹 NAND Flash制程竞赛急升温

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-12-13 08:59
正当美光(Micron)和英特尔(Intel)阵营仍沈浸在20纳米制程NAND Flash芯片量产,且应用在自家固态硬盘(SSD)时,劲敌海力士(Hynix)却无预警宣布成功开发Middle-10纳米世代,暂订为15纳米制程,预计2012年下半量产,对于NAND Flash产业可说是威力十足的震撼弹,后续三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)如何应战备受瞩目。
固态硬盘、内嵌式存储器等需求热络,让NAND Flash产业快速增温,4大阵营不仅展开盖厂接力赛,技术制程战火更是猛烈,三星和东芝分别抢进20和19纳米制程,美光凭借与英特尔合资IMFT导入20纳米量产,至于近年来动作静悄悄的海力士,是2011年以来唯一未宣布扩建新厂的NAND Flash业者,在NAND Flash市场势力逐渐被市场忽略。
不过,在美光发表20纳米制程量产后,海力士却意外宣布下个制程世代将直接跳到15纳米制程,预计2012年下半量产。目前NAND Flash技术以26纳米制程为主,业界原预期下一步将转进21纳米制程,然海力士却对外表示15纳米制程开发成功,且2012年下半量产,技术进度不但抗衡美光,且几乎已达超韩赶日的水平。
三星和东芝在全球NAND Flash市占率均超过30%,位居第1、2名,海力士原本稳坐三哥地位,但随著美光与英特尔合体后势力大增,让海力士和美光市占率出现消长,海力士前几季市占率都被美光超越,但第3季又微幅超越美光。NAND Flash业者纷在制程下猛药,在海力士15纳米制程技术问世后,同业是否跟进推出Middle-10纳米世代技术备受关注。
存储器业者指出,半导体制程持续往下微缩,恐造成电荷外漏,海力士进入15纳米制程需克服2个难关,包括多晶矽控制闸,以及电荷会从浮动闸(Floating Gate)漏出问题,尤其当制程微缩到10纳米世代,芯片尺寸变更小,控制闸上洞的问题就会浮现,在海力士宣布15纳米制程问世后,将进一步点燃NAND Flash产业技术战火。
NAND Flash业者表示,传统浮动闸NAND Flash技术架构在15纳米以前都可持续沿用,但困难点会在10纳米上下的制程世代浮出,因此,东芝、美光业者纷投入开发3D NAND Flash技术,预期会是下一世代NAND Flash技术架构。不过,目前3D NAND Flash技术其实还未成熟,何时导入或从哪里一个制程世代切入,目前都还在研究中。

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