20纳米竞赛不能输 NAND Flash厂锁定SSD应用点火

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-12-09 08:40
NAND Flash技术战火升温,三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)分别宣示进入20纳米和19纳米制程后,在近3个世代制程进度都领先的美光(Micron)积极宣布技术领先,表示20纳米已正式导入IMFT的犹他Lehi厂,且64Gb芯片正式量产出货,并非只是对手宣示性的试产意义而已,且不讳言是锁定在固态硬盘(SSD)应用领域,让NAND Flash技术竞赛火药味浓厚!
NAND Flash业者坦言,现在很难确定制程技术可以微缩到什么程度,但这几年制程演进速度的确比预期加速很多,尤其过去是三星和东芝的技术领先,但在34纳米和25纳米连续2个世代被美光和英特尔(Intel)阵营超越后,更激发4大NAND Flash阵营彼此制程技术较劲的斗志。
进入20纳米制程技术后,4大阵营彼此的制程进度缩短,三星和东芝陆续宣布20纳米和19纳米量产,美光更提升规格战,强调领先宣布20纳米64Gb芯片量产,且将于2012年量产128Gb芯片,更不讳言平板计算机、智能型手机和SSD应用是20纳米制程的主要目标。
美光指出,目前NAND Flash技术架构都是采用Planer NAND传统架构,但Planer NAND发展未来会走到极限,之后会导入3D NAND技术架构,但目前3D NAND技术的确还不成熟,对于导入的时间和切入的制程技术未有明确时间点。
美光强调,不论是加速20纳米64Gb芯片和128Gb芯片量产速度,或是与英特尔合资的IMFT新加坡厂,未来SSD应用都会是首要重点。
存储器业者分析,英特尔持续投资新加坡IMFT,最器重的产品线也是SSD应用,其它如三星、东芝、美光目标都相同,尤其SSD市场分为消费端(Client)和企业端(Enterprise)用后,前者的进入门槛较容易,也是兵家必争之地。
根据统计,消费端SSD市场规模在2011年约26亿美元,预计2014年会成长至70亿美元,而企业端SSD市场规模在2011年约10亿美元,2014年会成长至32亿美元;以美光为例,前者目前市占率接近10%,后者目前市占率约5%。
三星日前选中大陆做为亚洲第1个海外NAND Flash晶圆厂,看得出积极扩产的野心,美光和英特尔目前新加坡新厂单月产能约6万片,其中80%产能都归美光,也看得出美光对于SSD市场布局的雄心壮志。

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