尔必达发表全球首款次世代Mobile RAM 明年量产

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-11-16 10:34
全球第3大DRAM厂尔必达(Elpida)发布新闻稿宣布,已完成全球首款使用于智能型手机/平板计算机等行动装置的次世代DRAM产品的研发。尔必达表示,该款DRAM产品容量为4Gb、支持次世代行动内存国际规格「Wide IO(以下将该款次世代DRAM产品称为「Wide IO」Mobile RAM)」,其每秒的数据传送速度达12.8Gb,为现行采用LPDDR2规格的主流Mobile RAM的4倍,且在相同的传送速度下,其耗电力可较LPDDR2产品缩减约50%。
尔必达表示,该公司将使用30nm制程技术生产上述「Wide IO」Mobile RAM,并预计于2011年12月进行样品出货、2012年内进行量产。尔必达指出,该公司目前正着手研发将4片4Gb「Wide IO」Mobile RAM堆栈成16Gb的产品,且该16Gb产品将采用「直通硅晶穿孔(TSV;Through-Silicon Via)」封装技术,其封装厚度仅1.0mm,较现行主流的堆栈式封装层迭(PoP;package on package)产品(1.4mm)薄了约3成。

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