三星明年上半年量产1xnm级NAND

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-11-11 09:53
三星电子(Samsung Electronics)克服了物理上的瓶颈,将在2012年上半投入1x纳米级快闪存储器(NAND Flash)量产。此为三星在「三星技术展2011」中展示的1x纳米级NAND Flash产品,该产品是以三星综合技术院研发的实验品为基础,制造成容量64GB的Micro SD记忆卡。
三星2010年以30纳米32GB NAND Flash制造Micro SD卡,2011年5月更首度量产以20纳米级NAND Flash制造Class 10 32GB Micro SD卡。近来高阶行动装置数量逐渐增加,对高容量的Micro SD卡片需求也日渐攀升,然而以20纳米级NAND Flash制造容量达64GB的记忆卡较困难,研发10纳米级制程技术便成为紧急任务。
三星将以本次在技术展中推出的实验品为基础,于2012年初完成产品开发后,于上半年内在韩国京畿道华城存储器16产在线量产。
三星综合技术院研发的1x纳米级,不仅只是1项新的微缩制程,韩国业界认为,至20纳米级制程为止,都能凭借著改善Cell结构、采用新物质、开发高效能Cell与积层等达到微缩的目的;然而至1x纳米级制程开始,制程微缩的技术已是不同的次元,且需要相当大规模的投资,这也是半导体业者不易转进1x纳米级制程的因素。
存储器大厂东芝(Toshiba)和SanDisk 2011年上半,便推出以19纳米制程技术制造的64GB快闪存储器实验产品,并表示计划2011年7月开始量产,然目前产品仍未正式上市。
三星技术展为三星集团(Samsung Group)各关系企业间,分享2012年的新技术和未来趋势的展览,从2001年起每年以非公开方式进行。除各关系企业研究员出席分享新技术动向及专门领域知识外,在展示期间也邀请海外大学的产学和技术专家,共同讨论未来技术趋势。

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