泰国水患蔓延,让DRAM报价再度濒临历史低价,过去是DRAM多头总司令的力晶董事长黄崇仁,9日积极现身表示,要彻底与标准型DRAM切割,2012年DRAM产能将降至20%,最坏打算是降到1万片,且全力扶植NAND Flash自有技术;黄崇仁表示,穷人吃粥也能活,且力晶接著要导入28纳米NAND Flash技术追赶美日韩厂,经历这样的转型后,以后请不要再把力晶当DRAM公司了!
黄崇仁表示,DRAM产业受到个人计算机(PC)产业为行动装置应用崛起和天灾人祸等因素,这2年简直是猪羊变色,DRAM厂绝对要找其它出路求转型。
黄崇仁进一步表示,DRAM业务是力晶的历史包袱,但从2012年第1季开始,力晶NAND Flash投片量会正式超过DRAM芯片,DRAM芯片投片量将降至2万片,达20%比重水平,最坏打算是降到1万片,这样的产能配置是永久性的降低,不会再走回头路,不要再把力晶当成DRAM公司了!
力晶会保留2万片产能做DRAM芯片,一方面是其它产品线需要DRAM技术作为基础,另一方面力晶也要跨足TSV技术;黄崇仁强调,2013、2014年会陆续导入3D TSV技术,因此保留标准型DRAM火种仍是必要的,整体来看,未来力晶会是存储器技术公司,不会是产品公司。
根据目前力晶产能配置,晶圆代工产能占60%、PC DRAM产能占30%,NAND Flash产能占10%,但2012年产能规划上,晶圆代工占60%、NAND Flash产能比重会提升至20~25%,PC DRAM产能会降至15~20%,目前力晶闲置产能约2万~3万片;力晶2011年资本支出20亿元,预计2012年没有特别花费。
黄崇仁表示,力晶未来的转型方面,NAND Flash绝对是重点产品,力晶从2005年投入NAND Flash领域以来,估计累计投入约新台币100亿元,相较于国际大厂每转进1个世代要花5亿美元,力晶其实是省吃俭用,但目前也获得许多国际大厂订单支持,现在生产的产能都是订单已正式到手。
力晶NAND Flash芯片产品线为1Gb~32Gb,过去从70纳米一路走来,到50纳米再到40纳米,目前是以40纳米制程为主流,量产16Gb芯片,预计12月会导入30纳米世代,2012年则是会导入28纳米制程,未来力晶对NAND Flash产能规划上,上限是5万片产能。
黄崇仁分析,韩系晶圆大厂在DRAM和NAND Flash产能转换上悠游自如,是台厂在转型过程中需要学习的地方,力晶P3厂也朝此目标迈进,要成为全台湾第1家可快速转换DRAM和NAND Flash的晶圆厂。
力晶在晶圆代工业务上,还包括LCD Driver IC、CIS影像感测IC、电源管理IC、利基型存储器(SDRAM)芯片、NOR Flash、嵌入式Flash;LCD Driver IC方面,2011年单月约占产能1.5万~2万片,2012年会提升至2.5万~3万片。
标准型DRAM产品上,力晶预计2012年将会降至2万片,约整体产能20%比重,且100%产能转至30纳米制程生产4Gb芯片;此外,目前力晶在P3厂有3台浸润式微米曝光机台(Immersion Scanner),P1厂有1台,可以应付至20纳米制程微缩。