力晶:明年NAND投片量将正式超越DRAM

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-11-09 17:14
力晶科技(5346)今日举行记者会,由董事长黄崇仁、总经理王其国说明未来公司转型的策略与目标。力晶董事长黄崇仁强调,力晶已经不再是DRAM公司,将摆脱历史包袱,明年1月1日起,自有产品NAND Flash的投片量将正式超越DRAM,且DRAM投片产能将永远性的降低至20%以下,约当2万片的水平。
黄崇仁直说,这次召开记者会的目的,就是要跟投资大众、法人股东说明,力晶目前已经完全转型多元化内存生产公司,晶圆代工的营收比重达60%,从明年1月1日开始,内存将以自有产品NAND Flash为主,且NAND Flash投片产能将正式超越DRAM,DRAM产能将永远性的降至20%以下,约当2万片,所以不要再把力晶当成DRAM公司。
黄崇仁自豪的说,由于技术与转型的成功,力晶P3厂成为Flash与DRAM共同生产的12吋厂,月产能约11万片,且每一世代的技术都可以延用。尤其力晶从2005年就开始投入研发NAND Flash自有技术,累计投入资金高达80亿至90亿元,目前占营收比重10%,预计明年将朝20-25%的目标迈进,且以1Gb-32Gb多元化、低电压自有产品组合,专攻利基型应用市场。
另外,黄崇仁也指出,泰国水灾影响,当地硬盘厂复工之路遥远,将严重影响到硬盘的供应情况,这个空窗期就可以让SSD趁势崛起,因此相当看好明年SSD需求快速起飞,届时也将大举消耗NAND Flash产能。
DRAM的部分,黄崇仁表示,从力晶的DRAM技术来看,预计明年开始,将全部由40奈米转换至30奈米,且均生产4G产品,而DRAM目前占营收比重30%,预计明年将下降至15-20%。
虽然DRAM投片与营收比重大幅降低,不过黄崇仁强调,力晶将会持续拥有DRAM生产技术,但是逐渐退出PC DRAM,现阶段也正与大厂共同开发TSV的技术。
黄崇仁也说,拥有各种内存的技术是很重要的,以韩国三星为例,从DRAM、Flash到逻辑IC技术都有,所以力晶也不能放弃DRAM的技术,但却碍于DRAM价格低迷冲击,只能用最低成本生产、降低投片量,来过度难关。
晶圆代工部分,目前占营收比重60%,产品包括LCD驱动芯片、CIS影像感测芯片、电源管理芯片、利基型DRAM、NOR Flash、嵌入式Flash。黄崇仁说,力晶现在LCD驱动芯片代工的月产能达1.5万-2万片,市场占有率为60%,居全球第一,预计明年将提升为2.5万-3万片,维持领先地位。
展望未来,黄崇仁表示,力晶最重要的目标,就是持续打入行动装置终端产品供应链,逐渐退出PC市场,发挥12吋晶圆厂的成本效益,迎接下一波市场主流。
黄崇仁说,力晶要变成综合性的公司,包括晶圆代工、Flash与DRAM,尤其力晶为大中华地区唯一自主研发NAND Flash技术并成功商品化,掌握Flash、DRAM产能调度弹性,且客户、技术、产品多元化,将挥别单一市场(PC DRAM)景气循环风险。
黄崇仁坦言,力晶活的很辛苦,但是穷人也必须要活下来,就是因为并非像国际大厂这么大,所以要找到一条属于自己的路。

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