全球3Q NAND Flash市场 海力士仍略胜美光

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-11-02 08:35
NAND Flash市场在9月系统厂为新产品铺货而回补库存效应下,报价开始止跌回稳,因此整体第3季的平均售价(ASP)仍是较第2季下跌约14%,全球第3季NAND Flash产值为53.47亿美元,位元成长率为28%,三星电子(Samsung Electronics)全球市占率达虽滑落至40%以下,但仍以37.5%维持龙头地位,而东芝(Toshiba)略扫311地震阴霾,市占率提升至31.6%排名第2,海力士(Hynix)和美光(Micron)的3哥之争仍是以前者居于上风。
三星电子第3季仍是靠智能型手机(Smartphone)及平板计算机(Tablet PC)的OEM订单支撑大局,以传统快闪记忆卡和优盘而言,需求仍是疲弱,根据统计,三星第3季的NAND Flash市占率为37.5%,较第2季40.10%微幅下滑,单季位元出货量成长约20%,但平均售价下跌15%,使得第3季营收小幅增加至20.3亿美元。
三星2011年成功转进27纳米制程,目前除了持续提升27纳米制程比重之外,也积极转进21纳米制程,预计第4季的位元出货量可望再成长约10%,在产品和客户策略上,仍是以智能型手机及平板计算机系统客户为主流,尤其配合圣诞节前的最后一波销售旺季,且带动固态硬盘(SSD)和eMMC的比重。
原本和三星市占率相当的东芝,第2季因为日本311地震因素,导致全球NAND Flash市占率跌破30%至27.8%,第3季已明显回升至31.6%,虽然第3季有日圆升值等因素干扰,但东芝第2季位元出货量同步成长,因此第3季营收仍增加约24.7%达16.92亿美元。
在制程技术上,东芝2011年转进24纳米制程,且下半年也积极导入19纳米制程技术,以进一步强化成本结构,同时也增加嵌入式产品和SSD比重,主要是因应行动装置储存产品的需求蓬勃发展。
在全球第3季 NAND Flash市场,除了三星和东芝分别以市占率37.5%和31.6%排名第1、2之外,第3、4名之争仍是由海力士排名第3名,市占率为11.8%,美光以些微的落差排名第4名,市占率为11.3%,而英特尔(Intel)则为第5名,市占率为7.8%。
海力士也积极提升行动装置系统产品客户的销售比重,第3季位元出货量成长约16%,但平均售价仍下跌14%,因此第3季营收持平,海力士第4季仍是会耕耘于行动装置相关订单,预计在智能型手机及平板计算机客户订单的挹注下,第4季位元出货量将成长约15%;而预期第4季26纳米制程比重会拉高。
美光2011年以来也非常积极发展SSD产品线,并致力于多元化产品线的布局,包括应用于智能型手机、平板计算机、Ultrabook嵌入式产品等领域产品,加上有恒忆(Numonyx) NOR Flash产品线的加入,整体来看,美光第3季位元出货量增加约47% ,但价格也下跌约26%,单季营收为6.3亿美元。
在技术发展上,美光第4季制程技术将逐渐由25纳米转进20纳米制程,预计位元产出量可成长约5%。
英特尔和美光策略发展颇为一致,就是极力拉抬SSD产品线,英特尔与美光是策略联盟伙伴,因此在技术上,也会和美光一致从25纳米转进20纳米制程。
整体来看,根据统计,2011年第3季全球NAND Flash市场规模约53.47亿美元,较上季增加9.6%,位元出货量增加28%,9月已挥别快闪记忆卡和优盘零售通路端需求的疲软,又有系统客户的订单挹注,NAND Flash价格顺利止跌。

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